[發(fā)明專利]無負(fù)阻LDMOS器件結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710191983.1
• 申請(qǐng)日: 2007-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN101217161A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王佃利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 沈根水

1.無負(fù)阻LDMOS器件結(jié)構(gòu)，其特征是包括溝道區(qū)、漂移區(qū)、源漏區(qū)，在有源區(qū)邊界用一高濃度的濃硼區(qū)將LDMOS器件漂移區(qū)包圍起來，該濃硼區(qū)與漂移區(qū)在有源區(qū)邊界形成一個(gè)P⁺N^-二極管，該二極管擊穿電壓比器件有源區(qū)內(nèi)部本征擊穿電壓略低。

2.無負(fù)阻LDMOS器件的生產(chǎn)方法，其特征是該方法的工藝步驟分為，

1).在電阻率(0.01～0.02)Ω·cm的P型硅襯底上外延(8～13)Ω·cm，厚度(5～10)μm的P型外延層；

2).利用高能高劑量離子注入加熱推進(jìn)或者利用ICP刻蝕貫通外延層的深槽，進(jìn)行側(cè)壁擴(kuò)散加摻硼多晶硅填充的辦法形成包圍漂移區(qū)的高濃度硼摻雜區(qū)，同時(shí)形成表面源與背面襯底連接的高濃度硼連接區(qū)；

3).利用局部氧化技術(shù)進(jìn)行場(chǎng)氧化，柵犧牲層氧化(300～700)與腐蝕、柵氧化，厚度(300～700)；

4).LPCVD淀積多晶硅，厚度(4000～6000)，光刻刻蝕多晶硅，形成多晶硅柵圖形；

5).以多晶硅作為自對(duì)準(zhǔn)邊界，光刻溝道注入?yún)^(qū)，進(jìn)行溝道注入(能量40Kev～60Kev，劑量3E13cm^-2～1E14cm^-2)和推進(jìn)(溫度1050℃～1150℃，時(shí)間3h)，形成器件溝道區(qū)；

6).以多晶硅作為自對(duì)準(zhǔn)邊界，光刻源漏注入?yún)^(qū)，進(jìn)行源漏注入(能量80Kev～120Kev，劑量1E15cm^-2～3E15cm^-2)和推進(jìn)(溫度900℃～1000℃，時(shí)間30min)，形成器件源區(qū)和漏區(qū)；

7).漂移區(qū)注入(能量80Kev～140Kev，劑量1E12cm^-2～4E12cm^-2)和退火(溫度900℃～1000℃，時(shí)間30min)，同時(shí)步驟2)形成的包圍漂移區(qū)的高濃度硼摻雜區(qū)與漂移區(qū)在有源區(qū)邊界形成一個(gè)P⁺N^-二極管；

8).用LPCVD工藝在硅片表面淀積SiO₂(厚度5000～8000)，光刻、刻蝕SiO₂開接觸窗口；

9).蒸發(fā)金屬膜(厚度3000～5000)，反刻形成金屬電極，即漏極D和柵極G；

10).背面磨片，將硅片減薄到60μm～110μm，蒸發(fā)Ti(500～1500)/Ni(3000～5000)/Au(3000～5000)形成下電極，即源極S。