[發明專利]一種基于模擬IC服役條件的多場耦合實驗方法和裝置

無效

• 申請號: 200710191015.0
• 申請日: 2007-12-05
• 公開（公告）號: CN101221211A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 孟祥康;操振華;李平云;劉澎;徐春;陸海鳴
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司
• 代理人: 湯志武;王鵬翔

1.一種基于模擬IC真實服役條件的多場耦合裝置，其特征是由主工作室、閘板閥、分子泵、機械泵、高壓直流電源及控制柜、加熱器組件、銅板、電場支撐桿、電場支撐桿和陶瓷墊支撐板構成，主工作室為不銹鋼真空室，真空室通過閘板閥與分子泵及機械泵構成了真空裝置的連通，真空室、加熱及泵和高壓直流電源的控制柜被安裝在臺架上，真空室內部設有加熱器組件和電場支撐桿，電場支撐桿上固定若干塊陶瓷墊支撐板，在板上裝若干塊平行的銅板，真空室內設有加熱器組件，加熱器組件被安裝在銅板背部。

2.模擬IC服役條件的多場耦合實驗方法，其特征是銅線或銅薄膜的多場耦合實驗條件為：真空度從大氣壓至3.0×10^-4Pa，退火溫度從室溫到800℃，電場強度最高為2000V/cm；實現高強度電場與高溫度場的在高真空度下的銅線或銅薄膜的耦合的實驗條件，

3.根據權利要求1所述的模擬IC服役條件的多場耦合實驗方法，其特征是有兩種方式來調節電場強度的大小，一種方式是通過調節兩銅板之間的距離，其間距可調范圍為5mm-15mm；另一種方式是調節外接穩壓電源提供的直流電壓，其電壓可調節范圍為0-1000v，調節精度為1v。

4.根據權利要求1所述的模擬IC服役條件的多場耦合實驗方法，其特征是多場耦合實驗方法步驟如下：

a、直流磁控濺射在單晶Si(111)上制備100-1000nm厚度Cu薄膜；

b、表征沉積態Cu薄膜的結構與性能；

c、在多場耦合裝置中，在抽真空條件下進行電場退火試樣。

d、對樣品結構與性能表征

5.根據權利4要求所述的Cu膜的制備方法，其特征是在所述步驟a中，濺射功率為100W，濺射壓力為1.0Pa，濺射時間為10min。

6.根據權利4要求所述的多場耦合實驗方法，其特征是在所述步驟b中，表征方法為XRD、TEM。

7.根據權利4要求所述的多場耦合實驗方法，其特征是在所述步驟c中，電場強度大小為1000V/cm，溫度為低溫區間(室溫-100℃)，真空度為4.0×10^-4Pa。