[發明專利]Ⅲ族氮化物功率半導體器件

有效

• 申請號: 200710188302.6
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101232046A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 丹尼爾·M·金策
• 申請（專利權）人: 國際整流器公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余朦;方挺

1.一種功率半導體器件，包括：

半導體本體，其具有N型傳導性的第一III族氮化物半導體層、在所述第一層上形成的P型傳導性的第二III族氮化物半導體層、以及延伸過所述第二層并終止于所述第一層內的凹陷；

III族氮化物有源異質結本體，其至少由所述第二層沿所述凹陷的側壁延伸至所述第一層，所述有源異質結包括具有一個帶隙的第一III族氮化物本體以及具有另一個帶隙且在所述第一III族氮化物本體上形成的第二III族氮化物本體；

第一功率電極，與所述III族氮化物有源異質結電耦合，并且至少部分地設置在所述第二層上；

第二功率電極，與所述III族氮化物異質結電耦合，并且設置在所述第一層上；

控制電極，與所述異質結耦合，并且設置在所述第一功率電極和所述第二功率電極之間。

2.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述控制電極與所述異質結通過介電體電容耦合。

3.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述控制電極至少沿所述凹陷的所述側壁設置。

4.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述第一功率電極與所述第二層歐姆接觸。

5.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述半導體本體在設置在襯底上的III族氮化物過渡層上形成。

6.如權利要求5所述的功率半導體器件，其中所述過渡層由AlN組成，所述第一層由N型GaN組成，所述第二層由P型GaN組成。

7.如權利要求6所述的功率半導體器件，其中所述襯底由硅組成。

8.如權利要求6所述的功率半導體器件，其中所述襯底由GaN組成。

9.如權利要求6所述的功率半導體器件，其中所述襯底由SiC組成。

10.如權利要求6所述的功率半導體器件，其中所述襯底由藍寶石組成。

11.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述第一III族氮化物半導體本體由GaN組成，并且所述第二III族氮化物半導體本體由AlGaN組成。

12.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述第二III族氮化物半導體層是通過生長形成的。

13.如權利要求1所述的功率半導體器件，其中所述第二III族氮化物半導體層中不含由注入所導致的N型缺陷。