[發明專利]真空處理裝置有效
| 申請號： | 200710188069.1 | 申請日： | 2007-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN101236888A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發明（設計）人： | 曹生賢 | 申請（專利權）人： | IPS株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/44;C23C14/56;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 | 代理人： | 謝順星 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空 處理 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、一種真空處理裝置，其特征在于，包括：
腔體，具有用于真空處理的處理空間，以及形成在腔體一側或更多側用于將基片放入取出腔體的門；
其中，通過切除門的面對著處理空間的棱角的至少一部分，在門的面對上述處理空間一側的至少一部分棱角上形成棱角去除部。
2、如權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，所述棱角去除部為具有平面或曲面。
3、如權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，所述棱角去除部由與所述腔體相同材質的襯墊(liner)所覆蓋。
4、如權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，所述棱角去除部形成在安裝在上述腔體內壁上的襯墊上。
5、如權利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，所述棱角去除部以棱角為準在水平方向距離及垂直方向距離為10mm～100mm。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
