[發明專利]一種改善低壓化學氣相沉積設備中粒子污染的方法

無效

• 申請號: 200710187793.2
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101451235A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 柴利林
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 張春媛

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，且特別涉及一種改低壓化學氣相沉積設備中粒子污染的方法。

背景技術

在半導體技術大發展的今天，低壓化學氣相沉積設備(LPCVD)廣泛的應用于多晶硅、二氧化硅以及氮化硅等薄膜的沉積。在LPCVD設備使用過程中，工藝過程中溫度和壓力時常變化。隨著反應管表面薄膜的累積以及長時間溫度、壓力等參數的改變，導致薄膜變的越來越脆弱而容易剝落。在設備內部的溫度壓力變化時，反應管表面比較脆弱的薄膜會因為溫度的沖擊而剝落如該剝落發生在沉積過程中，剝落的薄膜及粒子會粘染到晶舟上的晶片上，便會使產品受到污染和/或損害，從而影響產品的性能和合格率。

發明內容

鑒于上述問題，本發明的目的便是提供一種改善LPCVD設備中粒子污染的方法，以減少對產品的污染和/或損害，提高產品合格率。

本發明的技術方案為：

一種改善低壓化學氣相沉積設備中粒子污染的方法，

在沉積工藝完成后，將晶舟從反應管中取出，改變反應管內的溫度，使反應管表面比較脆弱的薄膜因溫度沖擊而剝落；

然后，通入氣體清洗反應管，去除剝落的薄膜。

上述改變反應管內的溫度可以包括溫度升高和溫度降低。

上述溫度升高或降低的幅度大于100℃。

上述氣體可以為惰性氣體。

上述氣體可以為氮氣或氬氣。

通過在沉積完成后，較大幅度的改變反應管的溫度，可以使即將剝落的薄膜因溫度的沖擊而剝落，然后用惰性氣體將剝落的薄膜清洗出，便會大大減少在沉積過程中可能發生的的薄膜剝落和粒子污染，減少對產品的損害，提高產品的合格率。

附圖說明

圖1表示在沉積過程中LPCVD設備中反應管薄膜剝落的發生。

圖2、圖3表示本發明的一個實施例的實現過程。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明的具體實施方式作進一步的詳細說明。對于所屬技術領域的技術人員而言，從對本發明的詳細說明中，本發明的上述和其他目的、特征和優點將顯而易見。

圖1表示在沉積過程中LPCVD設備中反應管薄膜剝落的發生。參見圖1，其中1為反應管的外管，2為反應管的內管，4為擋板，3為晶舟，用于承載晶片等待處理的產品。在長時間使用后內、外管2表面會生成一層薄膜，而在長時間溫度和壓力等參數的變化將導致該薄膜變得越來越脆弱而容易剝落，在沉積工藝中溫度和壓力會因沉積工藝的需求而變化，該變化很容易會引起脆弱的薄膜的剝落，如圖1中反應管內的小箭頭8所示，該剝落的薄膜或粒子會使產品受到污染和/或損害。

圖2、圖3表示本發明的一個實施例的實現過程。

參見圖2，在沉積完成，晶舟3從反應管中移出。改變反應管內的溫度，使較為脆弱的薄膜因溫度的改變而剝落。由于此時反應管中沒有待處理的產品，因此不會對產品造成影響和/或損害。該溫度的變化可以是升高或降低，也可以是交替的升高和降低，升高或降低的幅度一般大于100℃，當然，不應超過設備可以承受的最高溫度。

參照圖3，用例如氮氣、氬氣等的惰性氣體9清洗反應管，使剝落的薄膜和粒子被沖洗出來。該清洗可以與溫度的變化同時進行，也可以晚于溫度變化的進程，但至少應當在溫度變化后，期望剝落的薄膜剝落后，將剝落的薄膜清洗出去；其中，清洗氣體可以從排氣口5排出。這樣，在下次的沉積中便不會有(或基本上不會有)薄膜的剝落，可以大大減少可能發生的薄膜剝落和粒子對產品的污染和/或損害。

雖然，本發明已通過以上實施例及其附圖而清楚說明，然而在不背離本發明精神及其實質的情況下，所屬技術領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的變化和修正，但這些相應的變化和修正都應屬于本發明的權利要求的保護范圍。