[發(fā)明專利]提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710187526.5
• 申請日: 2007-11-21
• 公開（公告）號: CN101441596A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 萬紅波
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市朗科科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 胡海國;王艷春

1.一種提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法，包括步驟：

根據(jù)數(shù)據(jù)操作取得要進(jìn)行所述數(shù)據(jù)操作的指定邏輯地址；

計算偏移量；

判斷所述數(shù)據(jù)操作的指定邏輯地址是否大于等于數(shù)據(jù)區(qū)邏輯起始地址， 若所述指定邏輯地址大于等于所述數(shù)據(jù)區(qū)邏輯起始地址則對所述數(shù)據(jù)操作進(jìn) 行偏移處理，即，將所述數(shù)據(jù)操作的指定邏輯地址與偏移量相加得到的和值 作為實(shí)際邏輯地址，使所述指定邏輯地址對應(yīng)到所述閃存介質(zhì)中的頁的開頭， 從而從頁的開頭開始進(jìn)行所述數(shù)據(jù)操作，進(jìn)而使數(shù)據(jù)中的簇由多個完整的頁 組成，并實(shí)現(xiàn)所述數(shù)據(jù)操作是按照整頁進(jìn)行的；以及

從所述實(shí)際邏輯地址開始執(zhí)行所述數(shù)據(jù)操作；

所述方法還包括：

如果所述指定邏輯地址小于所述數(shù)據(jù)區(qū)邏輯起始地址，說明所述指定邏 輯地址位于隱藏區(qū)中，則不進(jìn)行所述偏移處理；以及

從所述指定邏輯地址開始執(zhí)行所述數(shù)據(jù)操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法，其特征在于， 所述計算偏移量的步驟包括：

獲取所述數(shù)據(jù)區(qū)邏輯起始地址；

取得所述閃存介質(zhì)的頁的扇區(qū)數(shù)；

根據(jù)所述數(shù)據(jù)區(qū)邏輯起始地址和所述扇區(qū)數(shù)計算所述偏移量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法，其特征在于， 所述根據(jù)所述數(shù)據(jù)區(qū)邏輯起始地址和所述扇區(qū)數(shù)計算所述偏移量是將所述數(shù) 據(jù)區(qū)邏輯起始地址與所述扇區(qū)數(shù)取余數(shù)，將取得的余數(shù)作為所述偏移量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法，其特征在于， 所述計算偏移量的步驟在每次格式化閃存介質(zhì)后進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法，其特征在于， 在格式化閃存介質(zhì)的步驟后，所述方法進(jìn)一步包括將格式化產(chǎn)生的數(shù)據(jù)寫入 隱藏區(qū)的步驟，所述計算偏移量的步驟在所述將格式化產(chǎn)生的數(shù)據(jù)寫入隱藏 區(qū)的步驟之后進(jìn)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法， 其特征在于，所述數(shù)據(jù)操作包括向閃存介質(zhì)的所述指定邏輯地址寫數(shù)據(jù)或從 閃存介質(zhì)的所述指定邏輯地址讀數(shù)據(jù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的提高閃存介質(zhì)讀寫速度的方法， 其特征在于，所述偏移量保存在所述閃存介質(zhì)的、不被所述數(shù)據(jù)操作所使用 的存儲區(qū)域中。