[發明專利]用于多層抗蝕劑等離子體蝕刻的方法

無效

• 申請號: 200710187512.3
• 申請日: 2007-11-21
• 公開（公告）號: CN101197258A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 山口陽子;克里斯·李
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311;G03F7/36;G03F7/26
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種用于在等離子體蝕刻室中蝕刻限定在基片上的多層抗蝕劑的方法，包括以下方法操作：

將所述基片引入到所述蝕刻室中，所述基片具有限定在所述多層抗蝕劑的第一層上的圖案；

使SO₂氣體流入所述蝕刻室中；

在流入所述SO₂氣體的同時，在所述蝕刻室中激發等離子體；以及

蝕刻所述多層抗蝕劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述使SO₂氣體流入所述蝕刻室中的方法操作包括：

以大約0.1標準立方厘米每分鐘(sccm)和200sccm之間的流速流入所述SO₂氣體。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

使氯氣流入所述蝕刻室中；

使溴化氫氣體流入所述室中；以及

使惰性氣體流入所述室中。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述惰性氣體為氮，并且所述多層抗蝕劑包括至少三個抗蝕劑層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂氣體的同時在所述蝕刻室中激發等離子體的方法操作包括：

生成氧基等離子體。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂氣體的同時在所述蝕刻室中激發等離子體的方法操作包括：將等離子體密度保持在大約1×10⁹/cm³和大約1×10¹²/cm³之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂氣體的同時在所述蝕刻室中激發等離子體的方法操作包括：將離子能量保持在大約150伏特和大約400伏特之間。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述將等離子體密度保持在大約1×10⁹/cm³和大約1×10¹²/cm³之間的方法操作包括：

建立在大約2毫托和大約20毫托之間的室壓；以及

將所述蝕刻室的頂部電極的功率級設置在大約200瓦特和大約1000瓦特之間。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述將離子能量保持在大約150伏特和大約400伏特之間的方法操作包括：

將底部電極的射頻(RF)峰值電壓建立在大約200伏特和300伏特之間。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂氣體的同時在所述蝕刻室中激發等離子體的方法操作包括：

將室溫度保持在大約20攝氏度和大約70攝氏度之間。

11.一種用于在蝕刻室中在多層抗蝕劑蝕刻期間控制臨界尺寸偏差的方法，包括如下方法操作：

在使SO₂氣體流入所述室中的同時，在所述室中激發氧基等離子體；

將等離子體密度保持在大約1×10⁹/cm³和大約1×10¹²/cm³之間；以及

蝕刻所述多層抗蝕劑的每一層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述在使SO₂氣體流入所述室中的同時在所述室中激發氧基等離子體的方法操作包括：

使氯氣流入所述蝕刻室中；

使溴化氫(HBr)氣體流入所述室中；以及

使惰性氣體流入所述室中。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述在使SO₂氣體流入所述室中的同時在所述室中激發氧基等離子體的方法操作包括：

以大約0.1標準立方厘米每分鐘(sccm)和200sccm之間的流速使所述SO₂氣體流入所述室中。

14.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

將離子能量保持在大約150伏特和大約400伏特之間。