[發明專利]金/硅共晶芯片鍵合方法

有效

• 申請號: 200710187345.2
• 申請日: 2007-11-20
• 公開（公告）號: CN101192551A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 劉凱;孫明
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/58
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

1.一種金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

芯片鍵合區鍍金；

將晶片研磨的所需要的厚度；

研磨步驟后切割晶片；

拾取芯片；和

在高于金/硅共晶溫度的溫度下將芯片附貼到芯片鍵合區。

2.如權利要求1所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片包括垂直功率器件。

3.如權利要求1所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片為0.5mm×0.5mm的芯片，溫度為420℃。

4.如權利要求1所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片為1.0mm×1.0mm的芯片，溫度為440℃。

5.如權利要求1所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片為2.0mm×2.0mm的芯片，溫度為440℃。

6.一種金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：芯片鍵合區鍍金；

將晶片從頂表面切割到預定深度；

切割步驟后將晶片背面研磨到所需要的厚度；

拾取芯片；和

在高于金/硅共晶溫度的溫度下將芯片附貼到芯片鍵合區。

7.如權利要求6所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片包括垂直功率器件。

8.如權利要求6所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的晶片被切割到比晶片厚度淺的深度。

9.如權利要求6所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片被研磨到3和4密耳之間的厚度。

10.如權利要求6所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片為0.5mm×0.5mm的芯片，溫度為420℃。

11.如權利要求6所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片為1.0mm×1.0mm的芯片，溫度為440℃。

12.如權利要求6所述的金/硅共晶芯片鍵合方法，其特征在于，所述的芯片為2.0mm×2.0mm的芯片，溫度為440℃。