[發明專利]無鉻刻蝕溶液及揭示缺陷的方法和處理襯底的工藝無效
| 申請號： | 200710187095.2 | 申請日： | 2007-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN101186827A | 公開（公告）日： | 2008-05-28 |
| 發明（設計）人： | A·阿巴迪 | 申請（專利權）人： | S.O.I.TEC絕緣體上硅技術公司 |
| 主分類號： | C09K13/04 | 分類號： | C09K13/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 溶液 揭示 缺陷 方法 處理 襯底 工藝 | ||
1.一種刻蝕溶液，包含氫氟酸、硝酸以及乙酸，其中濃度49％的氫氟酸、濃度70％的硝酸以及濃度100％的純乙酸的體積比為1∶10-20∶8-17。
2.根據權利要求1所述的刻蝕溶液，其中刻蝕溶液由氫氟酸、硝酸以及乙酸構成。
3.根據權利要求1或2所述的刻蝕溶液，其中體積比為1∶15∶10-13。
4.根據權利要求1、2或3所述的刻蝕溶液，其中體積比為1∶15∶11-13。
5.根據權利要求1、2或4所述的刻蝕溶液，其中刻蝕溶液由濃度為49％的氫氟酸水溶液、濃度為70％的硝酸水溶液以及濃度為100％的乙酸按照體積比1∶15∶12組成。
6.一種表征半導體表面缺陷的方法，包括使用根據權利要求1至5中任一項所述的刻蝕溶液處理半導體表面的步驟。
7.根據權利要求6所述的方法，其中半導體表面為硅襯底、SOI或sSOI襯底、或硅-鍺襯底。
8.根據權利要求6或7所述的方法，其中該方法還包括使用氫氟酸對半導體表面的預處理。
9.根據權利要求6、7或8所述的方法，其中該方法還包括使用去離子水漂洗對半導體表面進行后期處理。
10.根據權利要求6、7、8或9所述的方法，還包括對處理后的半導體表面進行視覺評價的步驟。
11.一種刻蝕半導體表面的工藝，包括使用根據權利要求1至5中任一項所述的刻蝕溶液處理半導體表面的步驟。
12.根據權利要求11所述的工藝，其中半導體表面為SOI襯底、sSOI襯底或者硅-鍺襯底。
13.根據權利要求11或12所述的工藝，其中該方法還包括使用氫氟酸對硅表面進行預處理。
14.根據權利要求10、12或13所述的工藝，其中該方法還包括使用去離子水漂洗對半導體表面進行后期處理。
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