[發明專利]液晶顯示器及其制造方法無效
| 申請號: | 200710186977.7 | 申請日: | 2007-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN101183189A | 公開(公告)日: | 2008-05-21 |
| 發明(設計)人: | 水木雅彥;田豪 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 彭久云;馬高平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及具有包含固化材料的高分子(macromolecular)分散型液晶層的液晶顯示器,以及制造液晶顯示器的方法。
背景技術
近來,液晶顯示器已經通常用作液晶電視、筆記本個人電腦、汽車導航等的顯示監視器。液晶顯示器可以根據液晶顯示器的面板之間的分子排列分成不同模式。例如,眾所周知的是由不施加電壓時液晶分子的扭轉配向所構造的TN(twisted?nematic,扭轉向列)模式。在TN模式中,液晶分子具有正各向異性的介電常數,即在長軸方向上的介電常數大于在短軸方向的介電常數的特性。在TN模式的結構中,液晶分子在垂直于面板平面的方向上取向,同時在平行于面板平面上依次旋轉液晶分子的配向。
同時,更引人注意的是VA(垂直取向)模式,其中無電壓施加其上的液晶分子垂直于面板平面取向。在VA模式中,液晶分子具有負各向異性的介電常數,即在分子長軸方向上的介電常數小于在分子短軸方向上的介電常數的特性。這比TN模式實現更寬的視角。
在VA模式的液晶顯示器中,響應所施加的電壓,垂直于面板取向的液晶分子將由于介電常數的負各向異性而在平行于面板的方向倒伏(lie),通過這樣的構造來透過光。然而,因為垂直于面板取向的液晶分子位于任意方向,所以液晶分子的取向方向是不穩定的,使得對電壓的響應性能劣化。
考慮到前述的情況,日本未審查專利申請公開No.2002-23199和No.2002-357830揭示了制造高分子分散型液晶顯示器的方法,其采用具有光固化特性的單體,來響應電壓調節取向方向。具體地講,如圖9所示,液晶層300密封在板100A和200A之間,該兩塊板上有分別具有切口400和401的像素電極100B和對向電極200B。液晶層300曝光于對板200A的整個表面的紫外光照射。因此,如圖10所示,由于沒有電壓施加,液晶分子可以保持在相對于面板法線微小傾斜的位置(預傾斜)。這能夠改善對電壓的響應速度。
發明內容
就上述的方法而言,所謂預傾斜角度給予液晶層的幾乎所有的液晶分子,如圖10所示,這是因為紫外光照射到板的整個表面。盡管遍及液晶層整個表面提供的預傾斜可以改善對電壓的響應速度,但是即使在未驅動(黑顯示)狀態也可以透過微少的光。這增加了黑顯示的亮度,導致對比度降低。
通常,在板之間設置的上下電極中具有切口400和401的液晶顯示器中,當施加驅動電壓時,電場傾斜地施加到液晶層。因此,液晶分子可能位于一定的方向上,總體上增加了對液晶中的電壓的響應速度。事實上,在液晶層內的切口附近區域中傾斜施加電場,而在遠離切口的區域中幾乎垂直于板施加電場。因此,對電壓的響應速度的變化因液晶層中的不同區域而不同。具體地講,例如,在給予預傾斜區域的情況下,在響應所施加的電壓時,首先,接近于液晶層300的切口400和401的區域中的液晶分子位于圖11所示的方向上。此后,如圖12所示,響應接近切口的區域中的液晶分子的倒伏,遠離切口400和401區域中的液晶分子將依次倒伏。因此,具有這樣的特性,接近切口區域的液晶分子具有足夠高的對電壓的響應速度,而遠離切口的液晶分子具有低的對電壓的響應速度。因此,考慮到這一情況,為了有效改善對電壓的響應速度,似乎必須僅對存在于遠離電極切口區域(在切口之間的中間點附近的區域)中的液晶分子選擇性地給予預傾斜角度。
然而,考慮到設置在上下電極中的切口之間的間隔,如上所述,通過選擇預傾斜區域來進行限制的曝光是極其困難的。這是因為使選擇曝光的掩模的開口位置與電極的切口位置精確對準是不容易的。因此,需要一種能夠有效改善對電壓的響應速度的液晶顯示器,以及制造該液晶顯示器的方法。
希望提供一種液晶顯示器能夠有效改善對電壓的響應速度,而抑制對比度的降低,并且提供一種制造液晶顯示器的方法。
根據本發明的實施例,提供一種制造液晶顯示器的方法,其步驟包括:在彼此面對的一對基板的內表面上形成像素電極,每個像素電極具有切口;在形成有像素電極的一對基板之間密封包含光固化材料的液晶層;并且在一對基板上彼此面對的像素電極對之間施加電壓的情況下,通過使用具有多個開口的光屏蔽膜曝光液晶層。特別是,該切口交替設置,以形成在像素電極對之間的交錯排列,光屏蔽膜相鄰開口之間的間距小于一個基板上的像素電極的切口與另一個基板上的像素電極的切口之間在基板表面方向上的間距。
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