[發(fā)明專利]襯底上的氧化物膜

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710186086.1
• 申請日: 1999-08-02
• 公開（公告）號: CN101174667A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H·W·懷忒;朱申;Y·賴沃
• 申請（專利權(quán)）人: 密蘇里大學(xué)
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L31/0264;H01L31/0296;H01L29/12;H01L29/22;H01L23/00;H01S5/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 李帆

1.襯底上的氧化物膜，該氧化物膜的凈受主濃度至少為1017受主/cm³。

2.襯底上的氧化物膜，該氧化物膜包含p型摻雜劑且其凈受主濃度至少為10¹⁵受主/cm³，電阻率在1歐姆厘米和10^-4歐姆厘米之間，霍爾遷移率在0.1和50cm²/Vs之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底上的氧化物膜，其中所述襯底選自藍寶石和ZnO。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底上的氧化物膜，其中所述氧化物膜是半導(dǎo)體膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物膜，其中所述氧化物是氧化鋅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜，其中所述膜含有p型摻雜劑，該p型摻雜劑包含選自IA族、IB族、VB族和VA族元素的元素。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含氮。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含砷。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含磷。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含銻。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜，其中所述膜是如下的組成部分：p-n結(jié)、場效應(yīng)晶體管、發(fā)光器件、發(fā)光二極管、激光二極管、光探測二極管，或在器件中作為襯底材料，所述襯底材料用于與器件中的材料進行晶格匹配或用作附著電引線的層。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜，該膜的電阻率不大于1歐姆厘米。

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜，該膜的電阻率在1歐姆厘米和10^-4歐姆厘米之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜，該膜的霍爾遷移率在0.1和50cm²/Vs之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜，該膜的的凈受主濃度在10¹⁸受主/cm³和10²¹受主/cm³之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述膜含有p型摻雜劑，該p型摻雜劑包含選自IA族、IB族、VB族和VA族元素的元素。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含氮。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含砷。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含磷。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的膜，其中所述p型摻雜劑包含銻。

21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述膜是如下的組成部分：p-n結(jié)、場效應(yīng)晶體管、發(fā)光器件、發(fā)光二極管、激光二極管、光探測二極管，或在器件中作為襯底材料，所述襯底材料用于與器件中的材料進行晶格匹配或用作附著電引線的層。

22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，該膜的電阻率不大于1歐姆厘米。

23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，該膜的霍爾遷移率在0.1和50cm²/Vs之間。

24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，該膜的凈受主濃度在10¹⁸受主/cm³和10²¹受主/cm³之間。