[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710185780.1
• 申請日: 2007-12-21
• 公開（公告）號: CN101276814A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 相馬充;畑博嗣;天辰芳正
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/822;H01L21/76
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1、一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一導電類型的半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成的相反導電類型的外延層；

將所述外延層劃分成多個元件形成區域的一導電類型的分離區域，

所述分離區域連結跨越所述半導體襯底和所述外延層形成的一導電類型的第1埋置擴散層、在所述外延層中形成的一導電類型的第2埋置擴散層以及在所述外延層中形成的一導電類型的第1的擴散層而形成。

2、根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述元件形成區域的1個區域中形成雙極晶體管，在作為所述雙極晶體管的基區的一導電類型的第2擴散層和所述分離區域之間形成相反導電類型擴散層。

3、根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

配置所述相反導電類型擴散層以包圍所述一導電類型的第2擴散層，所述雙極晶體管的集電極與所述相反導電類型的擴散層連接。

4、根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述一導電類型的第1埋置擴散層和所述一導電類型的第1擴散層在所述外延層中，它們的一部分區域重疊；

相比于所述外延層的中央，所述一導電類型的第1埋置擴散層的雜質濃度的峰值位于所述襯底側，并且，相比于所述外延層的中央，所述一導電類型的第2埋置擴散層的雜質濃度的峰值及所述一導電類型的第1擴散層的雜質濃度的峰值位于所述外延層的表面側。

5、根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

相比于所述重疊區域，在所述外延層的表面側處所述一導電類型的第2埋置擴散層具有雜質濃度的峰值，并且，所述一導電類型的第2埋置擴散層包含所述重疊區域而與所述一導電類型的第1埋置擴散層及所述一導電類型的第1擴散層重疊，從而形成所述一導電類型的第2埋置擴散層。

6、根據權利要求4或權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述元件形成區域的1個區域中形成雙極晶體管，在作為所述雙極晶體管的基區的一導電類型的第2擴散層和所述分離區域之間形成相反導電類型擴散層；

所述一導電類型的第2埋置擴散層和所述相反導電類型擴散層形成結區。

7、根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

包圍所述一導電類型的第2擴散層配置所述相反導電類型擴散層，跨越所述相反導電類型擴散層的形成區域形成所述結區。

8、一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

準備一導電類型的半導體襯底的工序；

對所述半導體襯底離子注入用于形成一導電類型的第1埋置擴散層的雜質之后，在所述半導體襯底上形成相反導電類型的外延層的工序；

自所述外延層的表面離子注入用于形成一導電類型的第2埋置擴散層的雜質之后，連續地離子注入用于形成一導電類型擴散層的雜質，通過熱擴散形成使所述一導電類型的第1埋置擴散層、所述一導電類型的第2埋置擴散層及所述一導電類型的擴散層連結的分離區域的工序。

9、根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

使用同一抗蝕劑掩膜，離子注入用于形成所述一導電類型的第2埋置擴散層及所述一導電類型的擴散層的雜質。

10、根據權利要求8或權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述外延層中形成LOCOS氧化膜后，從所述LOCOS氧化膜上離子注入用于形成所述一導電類型的第2埋置擴散層及所述一導電類型的擴散層的雜質。

11、根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在離子注入用于形成所述一導電類型的第2埋置擴散層及所述一導電類型的擴散層的雜質的工序中，離子注入所述雜質，以使所述一導電類型的第2埋置擴散層及所述一導電類型的擴散層的雜質濃度的峰值相比于所述外延層的中央位于所述外延層的表面側。

12、根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

使用同一抗蝕劑掩膜，離子注入用于形成所述一導電類型的第2埋置擴散層及所述一導電類型的擴散層的雜質。