[發(fā)明專利]半導體存儲裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710185764.2
• 申請日: 2007-12-12
• 公開（公告）號: CN101266981A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 島野裕樹;森下玄;有本和民
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;G11C11/40
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉杰;劉宗杰

1.一種半導體存儲裝置，包括：

配置成矩陣狀并分別形成在絕緣膜上的多個存儲單元，其中各存儲單元包括：第一晶體管，利用體區(qū)域的電壓存儲信息，并且具有被施加固定電壓的第一導通節(jié)點和利用上述體區(qū)域與上述第一導通節(jié)點隔離配置的第二和第三導通節(jié)點；第二晶體管，具有與上述第一晶體管的第二導通節(jié)點連接的第四導通節(jié)點；以及第三晶體管，具有與上述第一晶體管的第三導通節(jié)點連接的第五導通節(jié)點；

多個第一字線，對應于各上述存儲單元行配置，分別與對應行的存儲單元的第二晶體管的控制電極連接；

多個第二字線，對應于各上述存儲單元行配置，分別與對應行的存儲單元的第三晶體管的控制電極連接；

多個充電線，對應于各上述存儲單元行配置，分別與對應行的存儲單元的第一晶體管的控制電極連接；

多個第一位線，對應于各上述存儲單元列配置，分別與對應列的存儲單元的第二晶體管的第六導通節(jié)點連接；以及

多個第二位線，對應于各上述存儲單元列配置，分別與對應列的存儲單元的第三晶體管的第七導通節(jié)點連接。

2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

各上述第一晶體管具有：第一雜質區(qū)域，形成在控制電極下部并構成上述體區(qū)域；第二雜質區(qū)域，與上述第一雜質區(qū)域相鄰形成，并構成與上述第二晶體管連接的上述第二導通節(jié)點；第三雜質區(qū)域，與上述第二雜質區(qū)域關于上述第一雜質區(qū)域相對置配置，并構成與上述第三晶體管連接的第三導通節(jié)點；以及第四雜質區(qū)域，在上述第一雜質區(qū)域的與上述第二和第三雜質區(qū)域相對置的邊不同的區(qū)域中，與上述第一雜質區(qū)域相鄰配置并構成上述第一導通節(jié)點。

3.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

在列方向排列配置的存儲單元的第二和第三晶體管，形成在沿列方向直線延伸地配置的有源區(qū)域中，對應列的第一和第二位線配置成將對應列的存儲單元的有源區(qū)域夾持在中間；

上述第一晶體管，在上述第二和第三晶體管的形成區(qū)域之間的部分中，在配置成從上述有源區(qū)域沿行方向超過對應的第一位線而突出的突出區(qū)域上，形成構成上述體區(qū)域和上述第一導通節(jié)點的區(qū)域，形成上述第二和第三導通節(jié)點的區(qū)域分別和形成上述第二和第三晶體管的第四和第五導通節(jié)點的區(qū)域共用。

4.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

在各存儲單元行中，上述第一和第二字線配置成將上述充電線夾持在中間。

5.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中

各上述存儲單元形成在矩形形狀的有源區(qū)域，

各上述存儲單元的第一晶體管，具有包含腳部和平臺部的T字形結構的控制電極，上述第二和第三晶體管關于上述腳部對置地配置，

上述第二和第三晶體管各自的控制電極，具有關于上述腳部對稱的L字形結構。

6.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中

各上述第一字線，與沿著列方向相鄰的2行存儲單元的第二晶體管的控制電極連接，

上述第二字線與沿著上述列方向相鄰的2行存儲單元的第三晶體管的控制電極連接，

上述第二和第三晶體管沿著行方向交替配置，

相鄰行的沿著列方向相鄰配置的存儲單元被連接到不同的位線。

7.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中

各上述第一字線，具有在相鄰的第二字線下部延伸并與對應的第二晶體管的控制電極電耦合的部分，

各上述第二字線，具有在相鄰的第一字線下部延伸并與對應的相鄰存儲單元的第三晶體管的控制電極電耦合的部分。