[發(fā)明專利]單片式晶片清潔工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710184914.8
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101369517A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖琨垣
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/306;H01L21/3065
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 魏曉剛;彭久云

1.一種單片式晶片清潔工藝，其包含有：提供一已蝕刻晶片，且該已蝕刻晶片的晶面包含有光阻圖案；

進行灰化工藝，去除該光阻圖案；以及

頂起該已蝕刻晶片以降低該已蝕刻晶片的溫度；并

在該已蝕刻晶片冷卻時對被頂起的該已蝕刻晶片進行干式清潔工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的單片式晶片清潔工藝，其中該已蝕刻晶片于晶面、晶背與晶邊上包含多個蝕刻后所產(chǎn)生的殘留高分子物質(zhì)微粒。

3.如權(quán)利要求2所述的單片式晶片清潔工藝，其中該干式清潔工藝用以去除附著于該已蝕刻晶片的晶面、晶背與晶邊的該高分子物質(zhì)微粒。

4.如權(quán)利要求1所述的單片式晶片清潔工藝，其中該干式清潔工藝包含氧氣等離子體工藝，其利用氧氣等離子體加以實施該干式清潔工藝。

5.如權(quán)利要求4所述的單片式晶片清潔工藝，其中在該已蝕刻晶片被頂起的狀態(tài)下，該氧氣等離子體工藝在該已蝕刻晶片背面形成氧化保護層。

6.如權(quán)利要求4所述的單片式晶片清潔工藝，其中該氧氣等離子體包含有氧氣的帶電離子、原子團、分子及電子。

7.如權(quán)利要求6所述的單片式晶片清潔工藝，其中在進行該干式清潔工藝時，利用設(shè)置于該已蝕刻晶片上方的濾片，以僅容許該氧氣等離子體的該等原子團通過。

8.如權(quán)利要求1所述的單片式晶片清潔工藝，其中該灰化工藝以及該干式清潔工藝于同一反應(yīng)槽中原位進行。

9.如權(quán)利要求8所述的單片式晶片清潔工藝，于該干式清潔工藝后，另包含濕式清潔工藝。

10.如權(quán)利要求1所述的單片式晶片清潔工藝，其中該已蝕刻晶片利用一熱墊板載具的頂針將該蝕刻晶片頂起。

11.一種單片式晶片清潔工藝，其包含有：

提供已蝕刻晶片，且該已蝕刻晶片的晶面包含有光阻圖案；

將該已蝕刻晶片置于灰化反應(yīng)槽內(nèi)，并將該已蝕刻晶片置于該灰化反應(yīng)槽內(nèi)的熱墊板載具上；

進行灰化工藝，移除該光阻圖案；

利用該熱墊板載具上的頂針將該已蝕刻晶片頂起；以及

在該已蝕刻晶片保持頂起狀態(tài)下，進行干式清潔工藝。

12.如權(quán)利要求11所述的單片式晶片清潔工藝，其中該已蝕刻晶片的晶面、晶背與晶邊有多個高分子物質(zhì)微粒附著。

13.如權(quán)利要求12所述分單片式晶片清潔工藝，其中該干式清潔工藝用以去除附著于該已蝕刻晶片的晶面、晶背與晶邊的該高分子物質(zhì)微粒。

14.如權(quán)利要求11所述的單片式晶片清潔工藝，其中該干式清潔工藝包含氧氣等離子體工藝，其利用氧氣等離子體加以實施該干式清潔工藝。

15.如權(quán)利要求14所述的單片式晶片清潔工藝，其中在該已蝕刻晶片被頂起的狀態(tài)下，該氧氣等離子體工藝在該已蝕刻晶片背面形成氧化保護層。

16.如權(quán)利要求14所述的單片式晶片清潔工藝，其中該氧氣等離子體包含有氧氣的帶電離子、原子團、分子及電子。

17.如權(quán)利要求16所述的單片式晶片清潔工藝，其中在進行該干式清潔工藝時，利用設(shè)置于該已蝕刻晶片上方的濾片，以容許該氧氣等離子體的該等原子團通過。

18.如權(quán)利要求11所述的單片式晶片清潔工藝，其中該灰化工藝以及該干式清潔工藝于同一反應(yīng)槽中原位進行。

19.如權(quán)利要求18所述的單片式晶片清潔工藝，在該干式清潔工藝后，另包含濕式清潔工藝。

20.如權(quán)利要求11所述的單片式晶片清潔工藝，其中利用該熱墊板載具上的頂針將該蝕刻晶片頂起，使該已蝕刻晶片降溫。