[發明專利]淺溝槽隔離結構的形成方法及半導體結構的研磨方法

無效

• 申請號: 200710184908.2
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101425477A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 莊子儀
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種淺溝槽隔離結構的形成方法，包括：

在晶片的基底上形成掩模層；

移除未被該掩模層覆蓋的部分該基底，以在該基底中形成多個淺溝槽；

在該基底上方形成介電層，且該介電層填滿該淺溝槽；

進行第一化學機械拋光工藝以移除部分該介電層；

進行第二化學機械拋光工藝，以移除部分該介電層與部分該掩模層，至該介電層的表面低于該掩模層的表面，其中該第二化學機械拋光工藝的研磨速率低于該第一化學機械拋光工藝的研磨速率，且該第二化學機械拋光工藝的該介電層對該掩模層的研磨選擇比高于該第一化學機械拋光工藝的該介電層對該掩模層的研磨選擇比；以及

移除該掩模層。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其中在形成該掩模層之前，還包括于該基底上形成墊層；且于移除該掩模層之后，還包括移除該墊層。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其中該第一化學機械拋光工藝使用第一研漿，該第二化學機械拋光工藝使用第二研漿，且該第一研漿與該第二研漿不同。

4.如權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其中該第一研漿為氧化鋁型研磨粒的研漿。

5.如權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其中該第二研漿為氧化鈰型研磨粒的研漿。

6.如權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其中該第一化學機械拋光工藝與該第二化學機械拋光工藝所使用的研磨墊相同。

7.一種半導體結構的研磨方法，包括：

提供半導體基底，其上依序已形成第一膜層與第二膜層；

以第一研磨速率，進行第一化學機械拋光工藝，以減小該第二膜層的表面的最高點與最低點之間的高度差值；以及

以第二研磨速率，進行第二化學機械拋光工藝，使該第二膜層的表面低于該第一膜層的表面，

其中該第二研磨速率小于該第一研磨速率，且該第二化學機械拋光工藝的該第二膜層對該第一膜層的研磨選擇比高于該第一化學機械拋光工藝的該第二膜層對該第一膜層的研磨選擇比。

8.如權利要求7所述的半導體結構的研磨方法，其中該第一化學機械拋光工藝使用第一研漿，該第二化學機械拋光工藝使用第二研漿，且該第一研漿與該第二研漿不同。

9.如權利要求8所述的半導體結構的研磨方法，其中該第一研漿為氧化鋁型研磨粒的研漿。

10.如權利要求8所述的半導體結構的研磨方法，其中該第二研漿為氧化鈰型研磨粒的研漿。

11.如權利要求8所述的半導體結構的研磨方法，其中該第一化學機械拋光工藝與該第二化學機械拋光工藝所使用的研磨墊相同。

12.如權利要求7所述的半導體結構的研磨方法，其中該第一膜層為氮化硅層。

13.如權利要求7所述的半導體結構的研磨方法，其中該第二膜層為氧化硅層。