[發明專利]顯示裝置的制造方法以及蝕刻設備

有效

• 申請號: 200710181907.2
• 申請日: 2007-10-12
• 公開（公告）號: CN101162703A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 田中幸一郎;森末將文
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/311
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 侯穎媖

1.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

形成第一導電層；

在所述第一導電層上形成絕緣層；

配置與所述絕緣層接觸的管子；

通過所述管子向所述絕緣層供應處理劑，以在所述絕緣層中形成到達所述第一導電層的開口；以及

至少在所述開口中形成與所述第一導電層接觸的第二導電層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，通過經所述管子放出包含導電材料的組合物來形成所述第二導電層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑在從所述管子被放出之后，通過所述管子被吸附并被除去。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述管子為針狀。

5.根據權利要求1所示的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑是蝕刻氣體或蝕刻液。

6.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

形成第一導電層；

在所述第一導電層上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層中戳入管子以形成第一開口；

通過所述管子向所述第一絕緣層供應處理劑，以在所述第一絕緣層中形成到達所述第一導電層的第二開口；以及

至少在所述第一開口及所述第二開口中形成與所述第一導電層接觸的第二導電層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，通過經所述管子放出包含導電材料的組合物來形成所述第二導電層。

8.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑在從所述管子被放出之后，通過所述管子被吸附并被除去。

9.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述管子為針狀。

10.根據權利要求6所示的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑是蝕刻氣體或蝕刻液。

11.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

形成柵電極層；

形成與所述柵電極層鄰接的柵極絕緣層；

形成與所述柵極絕緣層鄰接的半導體層；

形成與所述半導體層鄰接的源電極層及漏電極層；

在所述源電極層及所述漏電極層上形成絕緣層；

配置與所述絕緣層接觸的管子；

通過經所述管子給所述絕緣層供應處理劑，以在所述絕緣層中形成到達所述源電極層或所述漏電極層的開口；以及

至少在所述開口中形成與所述源電極層或所述漏電極層接觸的像素電極層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑在從所述管子被放出之后，通過所述管子被吸附并被除去。

13.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述管子為針狀。

14.根據權利要求11所示的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑是蝕刻氣體或蝕刻液。

15.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

形成具有源極區域及漏極區域的半導體層；

在所述半導體層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵電極層；

在所述柵電極層上形成絕緣層；

使用第一管子在所述絕緣層中形成第一開口；

通過經所述第一管子向所述絕緣層供應處理劑，以在所述絕緣層及所述柵極絕緣層中形成到達所述源極區域的第二開口；

至少在所述第一開口及所述第二開口中形成與所述源極區域接觸的源電極層；

使用第二管子在所述絕緣層中形成第三開口；

通過經所述第二管子向所述絕緣層供應處理劑，以在所述絕緣層及所述柵極絕緣層中形成到達所述漏極區域的第四開口；以及

至少在所述第三開口及所述第四開口中形成與所述漏極區域接觸的漏電極層。

16.根據權利要求15所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述處理劑在從所述第一管子及所述第二管子被放出之后，通過所述第一管子及所述第二管子被吸附并被除去。