[發(fā)明專利]包括雙擴(kuò)散結(jié)區(qū)的非易失性存儲(chǔ)器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710181854.4
• 申請(qǐng)日: 2007-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN101165903A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳東妍;宋在爀;李昌燮;李昌炫;金鉉宰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

1.一種非易失性存儲(chǔ)器件，其包括：

半導(dǎo)體襯底，其上包括器件隔離區(qū)，所述器件隔離區(qū)限定了其間的有源區(qū)；

在所述襯底的有源區(qū)上的串選擇柵極和地選擇柵極；

在所述串選擇柵極和地選擇柵極之間的有源區(qū)上的多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極；

第一雜質(zhì)區(qū)，其在所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中，延伸到所述有源區(qū)中直至第一深度；以及

第二雜質(zhì)區(qū)，其在所述串選擇柵極和與其緊鄰的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的第一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中、以及在所述地選擇柵極和與其緊鄰的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的最后一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中，延伸到所述有源區(qū)中直至大于所述第一深度的第二深度。

2.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中與所述串選擇柵極和所述地選擇柵極的邊緣部分相鄰地對(duì)稱提供所述第二雜質(zhì)區(qū)。

3.如權(quán)利要求2的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述第二雜質(zhì)區(qū)進(jìn)一步延伸到所述串選擇柵極和所述地選擇柵極的邊緣部分的下方。

4.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中與所述串選擇柵極和地選擇柵極緊鄰的部分第二雜質(zhì)區(qū)延伸到有源區(qū)中，直至比與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的第一和最后一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極緊鄰的部分第二雜質(zhì)區(qū)更大的深度。

5.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，還包括：

在所述有源區(qū)上的第二串選擇柵極，其與第一串選擇柵極相鄰，

其中在第一和第二串選擇線之間，所述第二雜質(zhì)區(qū)延伸到有源區(qū)中直至第二深度。

6.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，還包括：

在所述有源區(qū)上的第二地選擇柵極，其與所述第一地選擇柵極相鄰，

其中在第一和第二地選擇線之間，所述第二雜質(zhì)區(qū)延伸到所述有源區(qū)中直至第二深度。

7.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，在所述串選擇柵極和所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的第一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間、以及在所述地選擇柵極和所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的最后一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中，所述第一雜質(zhì)區(qū)延伸到有源區(qū)中直至第一深度。

8.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述第一雜質(zhì)區(qū)具有比所述第二雜質(zhì)區(qū)大的雜質(zhì)濃度。

9.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的每一個(gè)都包括隧穿絕緣層、電荷存儲(chǔ)層、電介質(zhì)層和柵極導(dǎo)電層。

10.如權(quán)利要求9的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述柵極導(dǎo)電層包括具有約4eV或更高功函數(shù)的材料。

11.如權(quán)利要求9的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述電介質(zhì)層包括具有大于隧穿絕緣層的介電常數(shù)。

12.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的每個(gè)包括電荷存儲(chǔ)層和柵極導(dǎo)電層，且其中電荷存儲(chǔ)層包括選自由氮化硅層、納米結(jié)晶硅層、納米結(jié)晶硅鍺層、納米結(jié)晶金屬層、氧化鋁層、氧化鉿層、氧化鋁鉿層以及氧化硅鉿層構(gòu)成的組中的至少一層。

13.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述第一雜質(zhì)區(qū)包括具有與襯底相反導(dǎo)電類型的雜質(zhì)離子。

14.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述第一雜質(zhì)區(qū)包括砷離子，且其中第二雜質(zhì)區(qū)包括磷離子。

15.如權(quán)利要求1的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述半導(dǎo)體襯底包括選自由單晶硅層、SOI(絕緣體上硅)、形成在硅鍺層上的硅層、形成在絕緣層上的硅單晶層以及形成在絕緣層上的多晶硅層所構(gòu)成的組中的至少一個(gè)。

16.一種制造非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該方法包括：

在半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)上形成串選擇柵極、地選擇柵極以及介于其間的多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極；

在所述串選擇柵極、所述地選擇柵極和所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中，形成延伸到有源區(qū)中直至第一深度的第一雜質(zhì)區(qū)；以及

在所述串選擇柵極和與其緊鄰的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的第一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中、以及在所述地選擇柵極和與其緊鄰的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元柵極中的最后一個(gè)存儲(chǔ)單元柵極之間的部分有源區(qū)中，形成延伸到有源區(qū)中直至大于所述第一深度的第二深度的第二雜質(zhì)區(qū)。