[發明專利]光電感應元件

有效

• 申請號: 200710181799.9
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101145587A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 陳紀文;張孟祥
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/113
• 分類號: H01L31/113;H01L31/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種光電感應元件，其包含：

一本質層，其包含一第一光感測區以及一通道區；

一第一離子摻雜區，設置于該本質層的一側；

一第二離子摻雜區，相對于該第一離子摻雜區設置于該本質層的另一側，其中該第一光感測區和該第一離子摻雜區相鄰，用于一光線照射時，依據該光線的強度產生電子空穴對；

一氧化絕緣層，設置于該本質層之上；以及

一柵極金屬，設置于該氧化絕緣層之上。

2.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區的摻雜離子相同。

3.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該本質層還包含一第二光感測區，該第二光感測區設置于和第二離子摻雜區相鄰。

4.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該本質層與該柵極金屬重疊配置。

5.如權利要求2所述的光電感應元件，其中該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區的摻雜離子濃度大致等于1018原子數/每立方厘米。

6.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區的摻雜離子都為P型摻雜離子。

7.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區的摻雜離子都為N型摻雜離子。

8.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該本質層、該第一光感測區是由一多晶硅組成。

9.如權利要求1所述的光電感應元件，其中該氧化絕緣層覆蓋于該本質層的面積小于該通道區以及該第一光感測區的面積。

10.一種制造光電感應元件的方法，其包含：

形成一多晶硅薄膜；

利用一第一光罩作掩模，對該多晶硅薄膜進行離子注入以形成一第一離子摻雜區以及一第二離子摻雜區；

沉積一氧化絕緣薄膜于該多晶硅薄膜之上；

沉積一金屬薄膜于該氧化絕緣薄膜之上；以及

利用一第二光罩作掩模，蝕刻該氧化絕緣薄膜以及該金屬薄膜以形成一氧化絕緣層以及一柵極金屬，使得該氧化絕緣層以及該柵極金屬的面積小于該未離子注入的多晶硅薄膜的面積。

11.如權利要求10所述的方法，其中該方法包含：

利用該第一光罩做掩模，對該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區進行離子注入，使該第一離子摻雜區的摻雜離子與該第二離子摻雜區的摻雜離子都為P型摻雜離子。

12.如權利要求10所述的方法，其中該方法包含：

利用該第一光罩做掩模，對該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區進行離子注入，使該第一離子摻雜區的摻雜離子與該第二離子摻雜區的摻雜離子都為N型摻雜離子。

13.如權利要求10所述的方法，其中形成一多晶硅薄膜的步驟包含：

沉積一非多晶硅薄膜；以及

對該非多晶硅薄膜進行一再結晶工藝，以使該非多晶硅薄膜轉成為一多晶硅薄膜。

14.如權利要求10所述的方法，其中該第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區的摻雜離子濃度大致等于1018原子數/每立方厘米。

15.如權利要求10所述的方法，其中該多晶硅薄膜的摻雜離子濃度大致為1011至1014原子數/每立方厘米。