[發明專利]制造碳化硅半導體器件的方法

有效

• 申請號: 200710181792.7
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101174569A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 中村廣希;市川宏之;奧野英一
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3105
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1.一種制造具有金屬-氧化物半導體結構的碳化硅半導體器件的方法，該方法包括：

制備由碳化硅制成的襯底(1)；

在所述襯底(1)上形成由碳化硅制成的溝道區(4)，其中所述溝道區提供電流通道；

在所述襯底(1)上形成位于電流通道的上游側上的第一雜質區(6、7)；

在所述襯底(1)上形成位于所述電流通道的下游側上的第二雜質區(1、13)；

在所述溝道區(4)的表面上形成柵極絕緣層(8)；

在所述柵極絕緣層(8)上形成柵電極(9)以形成半導體元件；

在所述半導體元件上形成膜以提供層間絕緣層(10)的材料；

在濕氣氛中在大約700℃或以上的溫度下執行回流工藝以便由所述膜形成所述層間絕緣層(10)；

在執行回流工藝之后將溫度降到大約700℃或以下；

在溫度降到大約700℃或以下之后將所述濕氣氛改變為惰性氣體氣氛；以及

在所述惰性氣體氣氛中執行脫水工藝以便使所述層間絕緣層脫水，其中：

所述溝道區(4)提供所述半導體元件的溝道；并且

通過控制施加到所述柵電極(9)的電壓來控制所述溝道以便控制在所述第一雜質區(6、7)與所述第二雜質區(1、13)之間流動的電流。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述惰性氣體氣氛包括氮氣。

3.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述惰性氣體氣氛包括氬氣。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中：

以大約10℃/min或以下的降溫速率來執行所述將溫度降到大約700℃或以下。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中：

在以大約10℃/min或以下來降低溫度的同時，執行所述脫水工藝。

6.根據權利要求5所述的方法，其中：

在以大約10℃/min或以下的固定速率來降低溫度的同時，執行所述脫水工藝。

7.根據權利要求5所述的方法，其中：

所述脫水工藝包括第一步驟和第二步驟；

在所述第一步驟以第一速率降低溫度；

在所述第二步驟以第二速率降低溫度；以及

所述第一速率為大約10℃/min或以下，而所述第二速率小于所述第一速率。

8.根據權利要求5所述的方法，其中

所述脫水工藝包括第一步驟和第二步驟；

在所述第一步驟以大約10℃/min或以下的降溫速率將溫度降到第一預定溫度；以及

在所述第二步驟以大約10℃/min或以下的升溫速率將溫度從所述第一預定溫度升高到第二預定溫度。

9.根據權利要求8所述的方法，其中：

所述第二預定溫度為大約700℃或以下。

10.根據權利要求9所述的方法，其中：

所述脫水工藝還包括第三步驟；以及

在所述第三步驟在預定時間內將溫度保持在所述第二預定溫度。

11.根據權利要求7所述的方法，其中：

所述脫水工藝還包括在預定時間內將溫度保持在預定溫度的步驟。

12.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中：

將所述半導體元件形成在所述襯底(1)的表面A上。