[發(fā)明專利]吸收率測量系統(tǒng)和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710181381.8
• 申請日: 2007-10-23
• 公開（公告）號: CN101170368A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 木南克規(guī);井山隆弘;大西輝夫
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社NTT都科摩
• 主分類號: H04B17/00
• 分類號: H04B17/00;G01R29/08
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝;呂俊剛

1.一種吸收率測量系統(tǒng)，其對在電介質(zhì)中吸收的來自輻射源的電磁波的吸收率進(jìn)行測量，所述系統(tǒng)包括：

測量部，其在作為所述電介質(zhì)中的二維面的觀察面上對第一電場矢量進(jìn)行測量；

電場計算部，其根據(jù)在所述觀察面上測量的所述第一電場矢量的電場分量，計算除了所述觀察面以外的點(diǎn)中的第二電場矢量，所述電場分量與所述觀察面平行；以及

計算部，其依據(jù)所計算的第二電場矢量來計算所述吸收率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述測量部包括包含有光電晶體的光學(xué)探針，以在所述電介質(zhì)中的所述觀察面上測量所述第一電場矢量的各個電場分量的振幅和相位。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述測量部包括包含有小偶極天線和光波導(dǎo)調(diào)制器的電場探針，以在所述電介質(zhì)中的所述觀察面上測量所述第一電場矢量的各個電場分量的振幅和相位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述測量部包括多個探針，所述多個探針在所述電介質(zhì)中的給定點(diǎn)處測量所述第一電場矢量的各個電場分量的振幅和相位。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述電場計算部對根據(jù)第二外積和格林函數(shù)梯度的第一外積所得到的矢量進(jìn)行面積分，以計算除了所述觀察面以外的點(diǎn)中的所述第二電場矢量，所述第二外積為與所述觀察面平行的所述電場分量和所述觀察面的法向矢量的外積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述電磁波在除了面對所述輻射源的電介質(zhì)面以外的所述電介質(zhì)面上的入射可忽略不計；并且其中所述電介質(zhì)足夠大，以使得所述電介質(zhì)內(nèi)部的所述電磁波的反射可忽略不計。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述測量部對與所述觀察面平行的電場分量的振幅和相位進(jìn)行測量。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述測量部還對與所述觀察面垂直的電場分量的振幅進(jìn)行測量。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，

其中，所述電場計算部計算在與所述觀察面基本平行的估計面上的估計點(diǎn)處的所述第二電場矢量，其中當(dāng)所述估計面在距所述觀察面的預(yù)定距離之內(nèi)時，所述估計點(diǎn)的數(shù)量與其中在所述觀察面上測量的所述第一電場矢量的測量點(diǎn)的數(shù)量基本相同，并且當(dāng)所述估計面在所述預(yù)定距離之外時，所述估計點(diǎn)的數(shù)量少于所述測量點(diǎn)的數(shù)量；并且

其中，所述計算部依據(jù)由所述電場計算部計算的所述估計面上的所述第二電場矢量來計算所述吸收率。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，該吸收率測量系統(tǒng)還包括第一內(nèi)插部，所述第一內(nèi)插部執(zhí)行內(nèi)插以增加由所述電場計算部所計算的與所述觀察面基本平行的估計面上的第二電場矢量數(shù)據(jù)元素的數(shù)量，以使其與其中所述電場測量部在所述觀察面上測量所述第一電場矢量的測量點(diǎn)的數(shù)量基本相同；

其中，所述吸收率計算部依據(jù)其數(shù)量與所述測量點(diǎn)的數(shù)量相同的所述第二電場矢量數(shù)據(jù)元素來計算所述吸收率。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，該吸收率測量系統(tǒng)還包括第二內(nèi)插部，所述第二內(nèi)插部執(zhí)行內(nèi)插以增加由所述吸收率計算部計算的吸收率數(shù)據(jù)元素的數(shù)量，以使其與其中所述電場測量部在所述觀察面上測量所述第一電場矢量的測量點(diǎn)的數(shù)量基本相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述電場計算部對與所述觀察面基本平行的估計面上的估計點(diǎn)處的所述第二電場矢量進(jìn)行計算，并且

其中，在所述觀察面上所測量的所述測量點(diǎn)的間隔小于或等于所述觀察面與所述估計面之間的距離。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸收率測量系統(tǒng)，其中，所述電場計算部根據(jù)在所述觀察面的部分區(qū)域上所測量的所述第一電場矢量來計算除了所述觀察面以外的點(diǎn)中的所述第二電場矢量，所述部分區(qū)域包括其中獲得所述最大電場或最大吸收率值的最大點(diǎn)。