[發(fā)明專利]磁納米元件中利用超薄阻尼層的阻尼控制無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710180209.0 | 申請日: | 2007-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN101162757A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 格雷恩·邁耶;曼弗雷德·E·沙貝斯;簡-烏爾里克·蒂勒 | 申請(專利權(quán))人: | 日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | H01L43/08 | 分類號: | H01L43/08 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 張波;馬高平 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 元件 利用 超薄 阻尼 控制 | ||
1.一種雙層結(jié)構(gòu),包括:
第一層,包括摻雜以選自4d過渡金屬、5d過渡金屬、以及4f稀土金屬中的一種的摻雜劑材料的第一鐵磁材料,其中該摻雜劑材料預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼,且其中該第一層小于或等于兩納米厚;以及
第二層,設(shè)置在該第一層上,其中該第二層包括第二鐵磁材料,且其中該第二層大于或等于兩納米厚。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的雙層結(jié)構(gòu),其中該第一鐵磁材料和該第二鐵磁材料是同類材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的雙層結(jié)構(gòu),其中該第一鐵磁材料和該第二鐵磁材料包括鎳鐵兩者、鈷鐵兩者、以及鎳鐵和鈷鐵的組合之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的雙層結(jié)構(gòu),其中該第一層摻雜有15%或更少的摻雜劑材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的雙層結(jié)構(gòu),其中該摻雜劑材料選自4d過渡金屬和5d過渡金屬之一,其預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的雙層結(jié)構(gòu),其中該摻雜劑材料選自除釓和銪之外的4f稀土金屬之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的雙層結(jié)構(gòu),其中該第二層小于或等于二十納米厚。
8.一種雙層結(jié)構(gòu),包括:
第一層,包括摻雜以選自4d過渡金屬和5d過渡金屬中的一種的摻雜劑材料的第一鐵磁材料,其中該摻雜劑材料預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼;以及
第二層,設(shè)置在該第一層上,其中該第二層包括第二鐵磁材料。
9.一種形成雙層結(jié)構(gòu)的方法,該方法包括:
提供第一層,其包括摻雜以選自4d過渡金屬、5d過渡金屬、以及4f稀土金屬中的一種的摻雜劑材料的第一鐵磁材料,其中該摻雜劑材料預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼,且其中該第一層小于或等于兩納米厚;以及
提供第二層,其設(shè)置在該第一層上,其中該第二層包括第二鐵磁材料,且其中該第二層大于或等于兩納米厚。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中該第一鐵磁材料和該第二鐵磁材料是同類材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中該第一鐵磁材料和該第二磁材料是鈷鐵兩者。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中該第一層被摻雜以15%或更少的摻雜劑材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中該摻雜劑材料選自4d過渡金屬和5d過渡金屬之一,其預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中該摻雜劑材料選自除釓和銪之外的4f稀土金屬之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中該第二層小于或等于二十納米厚。
16.一種磁傳感器,包括:
第一層,包括摻雜以選自4d過渡金屬、5d過渡金屬、以及4f稀土金屬中的一種的摻雜劑材料的第一鐵磁材料,其中該摻雜劑材料預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼,且其中該第一層小于或等于兩納米厚;以及
第二層,設(shè)置在該第一層上,其中該第二層包括第二鐵磁材料,且其中該第二層大于或等于兩納米厚。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的磁傳感器,還包括:
被釘扎層;
自由層,包括所述第一層和所述第二層;以及
有源層,包括隧穿層和分隔層之一,其中該有源層位于該被釘扎層和該自由層之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的磁傳感器,其中該第二層位于該第一層和該有源層之間。
19.一種磁傳感器,包括:
第一雙層結(jié)構(gòu),包括:
第一層,包括摻雜以選自4d過渡金屬、5d過渡金屬、以及4f稀土金屬中的一種的第一摻雜劑材料的第一鐵磁材料,其中該摻雜劑材料預(yù)定提供比該第一鐵磁材料中的磁阻尼更大的該雙層結(jié)構(gòu)中的磁阻尼;以及
第二層,設(shè)置在該第一層上,其中該第二層包括第二鐵磁材料,其中該雙層結(jié)構(gòu)包括在該磁傳感器的被釘扎層、磁屏蔽層、以及磁寫極之一中。
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