[發(fā)明專利]模塊化傳感器組件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710180198.6
• 申請(qǐng)日: 2007-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN101199434A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·G·沃伊奇克;R·A·費(fèi)希爾;D·M·米爾斯;S·科甘;D·R·艾斯勒;R·G·沃尼基;J·S·艾爾鮑姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號(hào): A61B19/00
• 分類號(hào): A61B19/00;A61B8/00;A61B5/00;H01L49/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;王小衡

1.一種傳感器組件(10)，包括：

傳感器陣列(12)，其包括多個(gè)傳感器模塊(22)，其中，所述多個(gè)傳感器模塊(22)中的每一個(gè)包括多個(gè)傳感器子陣列(18)；以及

電子裝置陣列(14)，其耦合到該傳感器陣列(12)并且包括多個(gè)集成電路模塊(24)，其中，所述多個(gè)集成電路模塊(24)中的每一個(gè)包括多個(gè)集成電路芯片(20)。

2.如權(quán)利要求2所述的傳感器組件(10)，其中，所述互連(16)包括倒裝芯片凸塊接合、原子接合、低溫熔化接合、層壓金凸塊或銦凸塊、銅加壓接合、各向異性導(dǎo)電薄膜之一或其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的傳感器組件(10)，其中，每一個(gè)所述傳感器子陣列(18)包括電容性微加工超聲換能器(cMUT)、鋅鎘碲化物(CZT)傳感器、壓電換能器(PZT)、壓電微加工超聲換能器(PMUT)或光電傳感器陣列之一。

4.如權(quán)利要求1所述的傳感器組件(10)，其中，所述多個(gè)集成電路芯片(20)中的每一個(gè)包括輸入/輸出焊盤區(qū)域(26)，所述輸入/輸出焊盤區(qū)域(26)沿著該集成電路芯片(20)的單個(gè)邊緣設(shè)置并且被配置成把該集成電路芯片(20)耦合到傳感器系統(tǒng)。

5.如權(quán)利要求1所述的傳感器組件(10)，其中，所述多個(gè)集成電路芯片(20)中的每一個(gè)包括輸入/輸出焊盤區(qū)域(26)，輸入/輸出焊盤區(qū)域(26)沿著該集成電路芯片(20)的多于一個(gè)邊緣設(shè)置并且被配置成把該集成電路芯片(20)耦合到超聲系統(tǒng)。

6.如權(quán)利要求1所述的傳感器組件(10)，其中，所述傳感器陣列(12)被層疊在所述電子裝置陣列(14)的上面。

7.如權(quán)利要求1所述的傳感器組件(10)，還包括被配置成把所述傳感器陣列(12)耦合到所述電子裝置陣列(14)的互連(16)，其中，該互連(16)包括多個(gè)導(dǎo)電凸塊(36)，所述導(dǎo)電凸塊被配置成把該傳感器陣列(12)機(jī)械地耦合到該電子裝置陣列(14)，以及在該傳感器陣列(12)與該電子裝置陣列(14)之間傳送電信號(hào)。

8.一種制造傳感器組件(10)的方法，包括：

提供多個(gè)傳感器模塊(22)，其中，每個(gè)傳感器模塊(22)包括多個(gè)傳感器子陣列(18)；

提供多個(gè)電子裝置模塊(24)，其中，每個(gè)電子裝置模塊(24)包括多個(gè)集成電路芯片(20)；以及

以層疊布置把所述多個(gè)傳感器模塊(22)中的每一個(gè)耦合到所述多個(gè)集成電路模塊(24)中對(duì)應(yīng)的一個(gè)。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，提供所述多個(gè)傳感器模塊(22)包括：

在晶片(28)上制造所述多個(gè)傳感器子陣列(18)當(dāng)中的每一個(gè)；

對(duì)所述多個(gè)傳感器子陣列(18)當(dāng)中的每一個(gè)進(jìn)行電測(cè)試；

在該晶片(28)上識(shí)別電氣良好的傳感器子陣列(34)；以及

在識(shí)別了所述電氣良好的傳感器子陣列(34)之后，對(duì)該晶片(28)進(jìn)行劃線以便產(chǎn)生所述多個(gè)傳感器模塊(22)，每一個(gè)傳感器模塊(22)包括設(shè)置在單個(gè)行中的M個(gè)傳感器子陣列(18)，其中選擇劃線圖案以便最大化傳感器模塊(22)的數(shù)目，其中傳感器模塊(22)中的每個(gè)傳感器子陣列(34)是電氣良好的傳感器子陣列(34)。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，提供所述多個(gè)電子裝置模塊(24)包括：

在晶片上制造所述多個(gè)集成電路芯片(20)當(dāng)中的每一個(gè)；

對(duì)所述多個(gè)集成電路芯片(20)當(dāng)中的每一個(gè)進(jìn)行電測(cè)試；

在該晶片上識(shí)別電氣良好的集成電路芯片(20)；以及

在識(shí)別了所述電氣良好的集成電路芯片(20)之后，對(duì)該晶片進(jìn)行劃線以便產(chǎn)生所述多個(gè)電子裝置模塊(24)，每一個(gè)電子裝置模塊(24)包括設(shè)置在單個(gè)行中的N個(gè)集成電路芯片(20)，其中選擇劃線圖案以便最大化電子裝置模塊(24)的數(shù)目，其中該電子裝置模塊(24)中的每個(gè)集成電路芯片(20)是電氣良好的集成電路芯片。