[發(fā)明專利]一種進氣裝置及應用該進氣裝置的半導體處理設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710179911.5
• 申請日: 2007-12-19
• 公開（公告）號: CN101465276A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 霍秀敏
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/24;C23F4/00;C23C16/455
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張?zhí)焓?陳 源

1.一種用于向反應腔室內(nèi)噴射氣體的進氣裝置，所述反應腔室具 有腔室側(cè)壁和腔室上蓋，其特征在于，所述進氣裝置包括至少三個側(cè)噴 嘴，所述至少三個側(cè)噴嘴環(huán)繞所述反應腔室均勻分布并成螺旋狀排列， 并且每個所述側(cè)噴嘴在水平面的投影與沿螺旋旋轉(zhuǎn)方向位于該側(cè)噴嘴 下游的反應腔室側(cè)壁在水平面的投影之間的夾角θ為銳角，用以將氣體 從側(cè)面噴入到所述反應腔室內(nèi)并形成環(huán)流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，還包括中央噴嘴， 所述中央噴嘴設置在所述腔室上蓋的中央位置處，用以將氣體從反應腔 室上部的中央位置處噴入到所述反應腔室內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的進氣裝置，其特征在于，所述側(cè)噴嘴 設置在所述腔室側(cè)壁上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的進氣裝置，其特征在于，所述側(cè)噴嘴 設置在所述腔室上蓋的邊緣位置處，和/或設置在腔室底部的邊緣位置 處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，所述側(cè)噴嘴與所 述反應腔室上蓋和/或反應腔室底部成一定的角度β，β的取值范圍在0度 至90度之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的進氣裝置，其特征在于，β的取值范圍在0 度到45度之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的進氣裝置，其特征在于，所述夾角θ為大 于30度的銳角。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的進氣裝置，其特征在于，所述側(cè)噴嘴的角 度β和/或角度θ為可調(diào)的，角度β的調(diào)節(jié)范圍在0度至90度之間，角度θ在 大于0度的銳角范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的進氣裝置，其特征在于，所述側(cè)噴嘴的角 度β的調(diào)節(jié)范圍在0度到45度之間，角度θ在大于30度的銳角范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。

10.一種半導體處理設備，包括具有腔室側(cè)壁、腔室上蓋的反應腔 室，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的進氣裝置。