[發(fā)明專利]直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710179897.9 | 申請日: | 2007-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN101188059A | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸家榆;韓輝;薛辰東;鞠勇;吳桂芳;蔣俊;趙鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電力科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | G08C19/00 | 分類號: | G08C19/00;G01R29/08;H01J37/244 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐寧;關(guān)暢 |
| 地址: | 100085*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 直流 合成 電場 離子 密度 測量 系統(tǒng) | ||
1.一種直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于它包括:一組直流場強儀,其與合成電場信號采集處理裝置通過信號電纜連接;一組離子流密度板,其與離子流信號采集處理裝置通過信號電纜連接;所述合成電場信號采集處理裝置和離子流信號采集處理裝置中設(shè)有A/D轉(zhuǎn)換模塊,所述合成電場信號采集處理裝置及離子流信號采集處理裝置分別與控制及信號顯示裝置通過網(wǎng)線雙向連接;所述控制及信號顯示裝置中安裝有專用軟件。
2.如權(quán)利要求1所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:所述每組直流場強儀和離子流密度板的數(shù)量均可為1~24個。
3.如權(quán)利要求1所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:通過增加信號采集裝置模板還可以增加每組直流場強儀和離子流密度板的數(shù)量。
4.如權(quán)利要求2所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:通過增加信號采集裝置模板還可以增加每組直流場強儀和離子流密度板的數(shù)量。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:所述合成電場信號采集處理裝置中設(shè)有A/D轉(zhuǎn)換模塊。
6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:所述離子流信號采集處理裝置中設(shè)有A/D轉(zhuǎn)換模塊。
7.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:所述控制及信號顯示裝置采用電腦筆記本。
8.如權(quán)利要求5所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:所述控制及信號顯示裝置采用電腦筆記本。
9.如權(quán)利要求6所述的直流合成電場和離子流密度測量系統(tǒng),其特征在于:所述控制及信號顯示裝置采用電腦筆記本。
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