[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)的方法、光記錄介質(zhì)及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710178784.7
• 申請(qǐng)日: 2007-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN101452714A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴京;唐毅;倪屹;潘龍法;徐海崢;熊劍平;陸達(dá)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G11B7/013
• 分類號(hào): G11B7/013;G11B7/007;G11B7/26
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種在光記錄介質(zhì)上實(shí)現(xiàn)多階游程長(zhǎng)度受限存儲(chǔ)的方法，包括步驟：

在用于存儲(chǔ)信息的坑的游程長(zhǎng)度方向上形成奇數(shù)段個(gè)相接的子坑 和子岸，并且使所述坑的游程長(zhǎng)度上的第一段和最后一段形成為子坑；

在用于存儲(chǔ)信息的岸的游程長(zhǎng)度方向上形成奇數(shù)段個(gè)相接的子坑 和子岸，并且使所述岸的游程長(zhǎng)度上的第一段和最后一段形成為子岸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，控制所述子坑和子岸的 長(zhǎng)度，使所述坑在分解后的讀出信號(hào)不超過切分電平；控制所述子坑和子 岸的長(zhǎng)度，使所述岸在分解后的讀出信號(hào)不低于切分電平。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在坑的游程長(zhǎng)度方 向上形成的子岸的長(zhǎng)度小于岸的游程長(zhǎng)度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在岸的游程長(zhǎng)度方 向上形成的子坑的長(zhǎng)度小于坑的游程長(zhǎng)度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所 得子岸/子坑的長(zhǎng)度，使讀出信號(hào)的升高/降低的幅度不同，實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所 得子岸/子坑的位置，使讀出信號(hào)的升高/降低的位置不同，實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所 得子坑/子岸組合段的數(shù)目實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所 得子岸/子坑的長(zhǎng)度，改變對(duì)坑/岸分解所得子岸/子坑的位置，改變對(duì)坑/ 岸分解所得子坑/子岸組合段的數(shù)目三種方式中的兩種或三種方式的組合 實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光記錄介質(zhì)的游程 長(zhǎng)度是受限的，在所述光記錄介質(zhì)的通道序列中，兩個(gè)非“0”數(shù)據(jù)之間 最少有d個(gè)“0”，最多有k個(gè)“0”，其中，k、d均為整數(shù)，k大于等于d， d大于等于0，參數(shù)d確定了出現(xiàn)在所述通道序列中的最小游程長(zhǎng)度，參 數(shù)k確定了出現(xiàn)在所述通道序列中的最大游程長(zhǎng)度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述游程長(zhǎng)度決定了 實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的階數(shù)，部分游程長(zhǎng)度只實(shí)現(xiàn)二值存儲(chǔ)。

11.一種制造實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)的光記錄介質(zhì)的方法，包括步驟：

刻錄母盤，形成不同游程長(zhǎng)度的坑和岸；

制作金屬的負(fù)像副盤；

使用注塑機(jī)壓制盤片；

對(duì)壓制出的盤片進(jìn)行濺鍍；

壓模模壓成光盤；

其特征在于，所述刻錄母盤步驟中，在用于存儲(chǔ)信息的坑的游程長(zhǎng)度 上形成奇數(shù)段個(gè)相接的子坑和子岸，并且使所述坑的游程長(zhǎng)度上的第一段 和最后一段形成為子坑；在用于存儲(chǔ)信息的岸的游程長(zhǎng)度上形成奇數(shù)段個(gè) 相接的子坑和子岸，并且使所述岸的游程長(zhǎng)度上的第一段和最后一段形成 為子岸，以實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)的光記錄介質(zhì)的方法， 其特征在于，控制所述子坑和子岸的長(zhǎng)度，使所述坑在分解后的讀出信號(hào) 不超過切分電平；控制所述子坑和子岸的長(zhǎng)度，使所述岸在分解后的讀出 信號(hào)不低于切分電平。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)的光記錄介質(zhì)的方法， 其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所得子岸/子坑的長(zhǎng)度，使讀出信號(hào)的 升高/降低的幅度不同，實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)的光記錄介質(zhì)的方法， 其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所得子岸/子坑的位置，使讀出信號(hào)的 升高/降低的位置不同，實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造實(shí)現(xiàn)多階存儲(chǔ)的光記錄介質(zhì)的方法， 其特征在于，通過改變對(duì)坑/岸分解所得子坑/子岸組合段的數(shù)目實(shí)現(xiàn)多階 存儲(chǔ)。