[發明專利]一種制備用于離子注入的對準標記的方法

有效

• 申請號: 200710178772.4
• 申請日: 2007-12-05
• 公開（公告）號: CN101452819A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 吳茹菲;尹軍艦;張海英
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/266
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種制備用于離子注入的對準標記的方法，其特征在于，該方法包括：

在進行離子注入之前進行刻蝕，在待注入區形成用于離子注入的對準標記；

其中，刻蝕是在進行離子注入之前，先勻光刻膠并前烘，然后采用離子注入的光刻掩膜版光刻，顯影，在待注入區露出待離子注入的圖形；對于半導體材料硅，刻蝕采用SF₆干法刻蝕，功率30W，流量為60sccm，刻蝕時間3分鐘，刻蝕深度為0.6μm。

2.根據權利要求1所述的制備用于離子注入的對準標記的方法，其特征在于，所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。

3.根據權利要求1所述的制備用于離子注入的對準標記的方法，其特征在于，所述刻蝕采用的光刻掩膜版與離子注入采用的光刻掩膜版相同。

4.根據權利要求2或3所述的制備用于離子注入的對準標記的方法，其特征在于，所述刻蝕包括：

在進行離子注入之前，先勻光刻膠并前烘，然后采用離子注入的光刻掩膜版光刻，顯影，在待注入區露出待離子注入的圖形。

5.根據權利要求1所述的制備用于離子注入的對準標記的方法，其特征在于，在所述光刻顯影，露出待離子注入的圖形時，其他部分被光刻膠保護著。

6.根據權利要求1所述的制備用于離子注入的對準標記的方法，其特征在于，該方法針對離子注入作為整個工藝過程第一步的情況。