[發明專利]一種提高鐵磁/反鐵磁交換偏置雙層膜性能的方法無效
| 申請號： | 200710178704.8 | 申請日： | 2007-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN101169937A | 公開（公告）日： | 2008-04-30 |
| 發明（設計）人： | 于廣華;劉洋;金川 | 申請（專利權）人： | 北京科技大學 |
| 主分類號： | G11B5/39 | 分類號： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 反鐵磁 交換 偏置 雙層 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高鐵磁/反鐵磁交換偏置雙層膜性能的方法，采用磁控濺射儀，在清洗干凈的玻璃基片或單晶硅基片上依次沉積種子層、鐵磁層、鐵錳反鐵磁層、保護層，其特征在于，在鐵磁層和鐵錳反鐵磁層之間沉積連續完整的鉑鐵錳PtFeMn插層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，鉑鐵錳插層的組分為Pt1-xFex/2Mnx/2，其中x＝5％～60％。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，鉑鐵錳PtFeMn插層的厚度為2～14。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，鉑鐵錳PtFeMn插層由鉑Pt和鐵錳FeMn共濺射得到。
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