[發(fā)明專利]摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710178492.3
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101170156A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設計）人: 黃翊東;唐選;張巍;彭江得
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發(fā)光器件，含有：下?lián)诫s層(011)，位于下?lián)诫s層(011)上的有源區(qū)(012)，以及位于有源區(qū)(012)上的上摻雜層(013)，其特征在于，在上摻雜層(013)內(nèi)部嵌有設定圖形的絕緣介質(zhì)(015)，在絕緣介質(zhì)(015)的內(nèi)部包裹著金屬層(014)，其中金屬為金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻的一種、或是各自的合金、或是不同金屬的復合多層構(gòu)造，金屬微觀形態(tài)為顆粒、薄層、或顆粒與薄層的組合，厚度限定為1-50nm，金屬層(014)到有源區(qū)(012)的距離限定為0-50nm。

2.一種摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發(fā)光器件，含有：金屬薄層(021)，位于金屬薄層(021)上的有源區(qū)(012)，以及位于有源區(qū)(012)上的上摻雜層(013)，其特征在于，在上摻雜層(013)內(nèi)部嵌有設定圖形的絕緣介質(zhì)(015)，在絕緣介質(zhì)(015)的內(nèi)部包裹著金屬層(014)，其中金屬為金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻的一種、或是各自的合金、或是不同金屬的復合多層構(gòu)造，金屬微觀形態(tài)為顆粒、薄層、或顆粒與薄層的組合，厚度限定為1-50nm，金屬層(014)到有源區(qū)(012)的距離限定為0-50nm。

3.一種摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發(fā)光器件，含有：下?lián)诫s層(011)，位于下?lián)诫s層(011)上的有源區(qū)(012)，以及位于有源區(qū)(012)上的上摻雜層(013)，其特征在于，在下?lián)诫s層(011)、上摻雜層(013)各自的內(nèi)部嵌有設定圖形的絕緣介質(zhì)(015)，在絕緣介質(zhì)(015)的內(nèi)部包裹著金屬層(014)，其中金屬為金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻的一種、或是各自的合金、或是不同金屬的復合多層構(gòu)造，金屬微觀形態(tài)為顆粒、薄層、或顆粒與薄層的組合，厚度限定為1-50nm，金屬層(014)到有源區(qū)(012)的距離限定為0-50nm。

4.所述的設定圖形為含有通孔的平板，孔的直徑大小限定為50nm-1□m，平板的厚度限定為3-200nm。

5.所述的設定圖形為盤狀，盤的直徑大小限定直徑為10nm-1□m，盤的厚度限定為3-200nm。

6.所述的設定圖形為條狀，條寬度的大小限定為10nm-1□m，條的厚度限定為3-200nm。

7.所述的絕緣介質(zhì)為，SiO₂、Si₃N₄、SiON、Al₂O₃、Y₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅或HfO₂的一種，在絕緣的同時起到防止金屬擴散的作用。

8.所述的有源區(qū)為納米晶硅，摻雜層為Si、SiC、ZnO、或SnO₂。

9.所述的有源區(qū)為InGaN，摻雜層為GaN。

10.所述的有源區(qū)為ZnO，摻雜層為ZnO。