[發明專利]多晶立方相碳化硅微機電系統諧振器件及其制作方法

無效

• 申請號: 200710178327.8
• 申請日: 2007-11-28
• 公開（公告）號: CN101447775A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 王亮;寧瑾;孫國勝;王雷;趙萬順;趙永梅;劉興昉
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種立方相碳化硅材料微機電系統諧振器件，其特征在于，所述諧振器件是一種靜電感應激勵方式的諧振器，振動模式為橫向振動和縱向振動，其包括：

一襯底(10)；

制作在襯底(10)上的第一隔離層(11)；

制作在第一隔離層(11)上的第二隔離層(12)；

制作在第二隔離層(12)上的一犧牲層(13)；

制作在犧牲層(13)上的一工作材料層(14)；該工作材料層(14)為立方相多晶碳化硅、或為立方相非晶碳化硅、或為立方相單晶碳化硅材料；

制作在工作材料層(14)的一歐姆接觸電極(15)，其面積小于工作材料層。

2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述襯底(10)為硅、或為藍寶石、或為碳化硅、或為氮化鎵、或為砷化鎵材料。

3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一隔離層(11)為二氧化硅、或為硅、或為多晶硅、或為氮化硅材料，其厚度為300納米～2000納米。

4.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二隔離層(12)為氮化硅、或為二氧化硅、或為硅、或為多晶硅材料，其厚度為100納米～400納米。

5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述犧牲層(13)為二氧化硅材料、或為磷硅玻璃材料、或為硼硅玻璃材料，或為聚酰亞胺材料，其厚度為1微米～6微米。

6.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述歐姆接觸電極(15)為鎳、或為鋁、或為金、或為鈦、或為鉑材料。

7.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述工作材料層(14)結構為交叉手指狀結構或者平板結構，振動模式為橫向振動模式或者縱向振動模式。

8.一種立方相碳化硅材料微機電系統諧振器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在襯底(10)上利用熱氧化設備或薄膜沉積設備生長第一隔離層(11)；

2)在第一隔離層(11)上利用薄膜沉積設備生長第二隔離層(12)；

3)在第二隔離層(12)上利用薄膜沉積設備生長犧牲層(13)；

4)在犧牲層(13)上利用薄膜沉積設備生長工作材料層(14)；該工作材料層(14)為立方相多晶碳化硅、或為立方相非晶碳化硅、或為立方相單晶碳化硅材料；

5)在工作材料層(14)上利用濺射設備或蒸發設備制作歐姆接觸電極(15)；

6)利用半導體刻蝕設備形成工作材料層(14)的形狀；

7)利用半導體刻蝕設備或者濕法腐蝕工藝、設備去除犧牲層(13)；

8)進行管芯分割，最后封裝在管殼上，制成立方相碳化硅材料微機電系統諧振器件。