[發(fā)明專利]一種調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710178324.4
• 申請(qǐng)日: 2007-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN101447454A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周華杰;徐秋霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/76;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，該方法包括：

局部氧化隔離或淺槽隔離，進(jìn)行注入前氧化，然后注入¹⁴N⁺；

漂凈注入前氧化膜，柵氧化，并沉積多晶硅；

光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；

注入金屬雜質(zhì)，該金屬雜質(zhì)為鐿Yb；

淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應(yīng)形成全硅化物金屬柵；

選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述局部氧化隔離或淺槽隔離的步驟中，氧化溫度為1000℃，隔離層厚度為3000至

所述注入前氧化的步驟中，氧化厚度為100至

所述注入¹⁴N⁺的步驟中，注入條件為：注入能量為10至30Kev，注入劑量為1×10¹⁴至6×10¹⁴cm^-2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述漂凈注入前氧化膜的步驟中，采用體積比為H₂O∶HF＝9∶1的溶液進(jìn)行漂洗，然后采用3^#腐蝕液清洗10分鐘，1^#腐蝕液清洗5分鐘，HF/異丙醇IPA溶液室溫下浸漬5分鐘；該3^#腐蝕液是體積比為5∶1的H₂SO₄與H₂O₂溶液；該1^#腐蝕液是體積比為0.8∶1∶5的NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液；氫氟酸/異丙醇/水是體積比為百分之0.2至0.7∶百分之0.01至0.04∶1的HF+IPA+H₂O溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述柵氧化并沉積多晶硅的步驟中，柵氧化的厚度為15至沉積多晶硅采用低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD方法，沉積的多晶硅的厚度為1000至

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述在光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極之前進(jìn)一步包括：

去背面多晶硅，并漂凈背面氧化層，然后進(jìn)行背面注入，注入雜質(zhì)³¹P，注入能量為50至100Kev，注入劑量為3×10¹⁵至6×10¹⁵cm^-2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述在光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極的步驟包括：

采用厚度為1.5微米的9918膠作為掩模進(jìn)行光刻，采用反應(yīng)離子刻蝕多晶硅，將場(chǎng)區(qū)內(nèi)多晶硅刻蝕干凈，形成多晶硅柵電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述注入金屬雜質(zhì)鐿Yb的步驟中，是將金屬雜質(zhì)鐿Yb注入多晶硅柵內(nèi)，注入能量為50至150Kev，注入劑量為1×10¹⁵至1×10¹⁶cm^-2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述淀積金屬鎳Ni并退火硅化的步驟中，淀積金屬鎳Ni的厚度為600至退火條件為：溫度500至580℃，時(shí)間30至60秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)節(jié)全硅化金屬柵的柵功函數(shù)的方法，其特征在于，所述選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni的步驟中，采用3^#腐蝕液進(jìn)行腐蝕去除，該3^#腐蝕液為體積比5∶1的H₂SO₄與H₂O₂溶液，腐蝕時(shí)間為20至30分鐘。