[發明專利]一種有機電致發光二極管無效
| 申請號: | 200710178313.6 | 申請日: | 2007-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN101447554A | 公開(公告)日: | 2009-06-03 |
| 發明(設計)人: | 關敏;秦大山;曹峻松;曹國華;曾一平;李晉閩 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100083北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 二極管 | ||
1.一種采用活潑金屬摻雜有機空穴注入材料作為電子注入層的有機
發光二極管,其特征在于,由以下部分組成:
一個透明陽極(101);
一個沉積在所述陽極上的有機空穴注入層(102);
一個沉積在所述有機空穴注入層上的有機空穴傳輸層(103);
一個沉積在所述有機空穴傳輸層上的有機發光層(104);
一個沉積在所述有機發光層上的有機電子注入層,即活潑金屬摻雜有機空穴注入材料(105);
一個沉積在所述有機電子注入層上的陰極(106)。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述有機發光二極管用于可見光以及紅外的發射。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述有機空穴注入層材料為以下任一材料
4,4’,4”-三{N,-(3-甲基苯基)-N-苯胺}-三苯胺(m-MTDATA)
酞氰銅(CuPc)
聚-N-乙烯基咔唑(PVK)
聚(3,4-二氧乙基噻吩):聚(對苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述有機空穴傳輸層材料為以下任一材料:
N,N′-雙(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(NPB),
N,N′-雙(3-甲基苯基-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(TPD)。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述有機發光層材料為:
8-羥基喹啉鋁(Alq3)-綠光。
6.根據權利要求5所述的有機發光層,其特征在于,所述有機發光層使用以下任一材料摻雜:
4-(二氰甲烯基)-2-甲基-6-(p-二甲基胺苯乙烯)-4H-吡喃(DCM2)-紅光;
4-(二氰甲烯基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-9-烯炔基)-4H-吡喃(DCJTB)-紅光;
8-羥基喹啉鉺(ErQ)-紅外。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,其中有機電子注入層可以為以下任一材料:
酞氰銅(CuPc)、
4,4’,4”-三{N,-(3-甲基苯基)-N-苯胺}-三苯胺(m-MTDATA)
8.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述有機電子注入層使用鎂或鋰金屬摻雜。
9.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述陰極為銀、或為氟化鋰/鋁。
10.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述有機空穴注入層(102)層的厚度為5-10納米,有機空穴傳輸層(103)的厚度為70-80納米,有機發光層(104)的厚度為40-50納米,活潑金屬摻雜有機空穴注入材料(105)的厚度為10-20納米,陰極(106)的厚度大于120納米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





