[發明專利]一種有機場效應晶體管及其專用源漏電極與制備方法

無效

• 申請號: 200710177814.2
• 申請日: 2007-11-21
• 公開（公告）號: CN101442105A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 于貴;狄重安;魏大程;劉云圻;郭云龍;朱道本
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 關 暢

1.一種制備圖案化石墨烯電極的方法，包括如下步驟：

1)在襯底上沉積金屬薄膜，并將所述金屬薄膜圖案化；

2)將沉積有圖案化金屬薄膜的襯底置于化學氣相沉積系統中，在圖案化金屬薄膜表面化學氣相沉積石墨烯，得到圖案化石墨烯電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述金屬薄膜包括銀、銅、金、鋁、鈣、鎂、錫、鐵、鈉、鋇或它們的合金。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：將所述金屬薄膜圖案化采用掩膜技術或光刻技術。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：化學氣相沉積所用的碳源為甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯或甲烷；化學氣相沉積的溫度為100-1200度；載氣為N₂、Ar、N₂/H₂或Ar/H₂。

5.權利要求1或2或3或4所述方法制備得到的圖案化石墨烯電極。

6.一種下電極結構有機場效應晶體管，包括柵極電極、介電層、有機半導體層、源電極和漏電極，其特征在于：所述源電極和漏電極是權利要求5所述的圖案化石墨烯電極。

7.根據權利要求6所述的下電極結構有機場效應晶體管，其特征在于：所述柵極電極材料包括銀、銅、金、鋁、鈣、鎂、錫、鐵、鈉、鋇或它們的合金，氧化銦錫或高摻雜單晶硅。

8.根據權利要求6所述的下電極結構有機場效應晶體管，其特征在于：所述介電層材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鈰或氧化鋯。

9.根據權利要求6所述的下電極結構有機場效應晶體管，其特征在于：所述有機半導體為有機小分子或高分子材料。

10.權利要求6所述下電極結構有機場效應晶體管的制備方法，包括如下步驟：

a)在襯底上順序沉積柵極電極和介電層；

b)在沉積有柵極電極和介電層的襯底上沉積一層金屬薄膜，通過掩膜板或光刻技術實現所述金屬薄膜圖案化；

c)將步驟b)所得襯底置于化學氣相沉積系統中，在圖案化金屬薄膜表面化學氣相沉積石墨烯，形成圖案化石墨烯電極，作為有機場效應晶體管的源電極和漏電極；

d)在步驟c)所得襯底上制備有機半導體層，得到所述下電極結構有機場效應晶體管。