[發明專利]染料敏化太陽能電池的ZnO電極及其制備方法有效
| 申請號: | 200710177245.1 | 申請日: | 2007-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN101162739A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發明(設計)人: | 林紅;林春富;莊東填;李建保 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L51/46;H01L51/48;H01L21/28;H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01M4/02;H01M4/04 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 | 代理人: | 李光松 |
| 地址: | 100084北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 染料 太陽能電池 zno 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極,其特征在于:所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極為在基底上涂覆一層ZnO納米帶陣列的ZnO膜;或先在工作電極基底上涂覆一層氧化物進行前處理后再涂覆一層ZnO納米帶陣列的ZnO膜;或在經過前處理的ZnO納米帶陣列的ZnO電極基礎上再進行后處理涂覆一層氧化物的復合膜層的染料敏化太陽能電池的ZnO電極。
2.一種用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,具體制備工藝包括:
1)直接在工作電極基底上制備:采用含有工作電極、對電極和參比電極的三電極系統,工作電極和對電極相距為2-6mm,以非離子型表面活性劑和硝酸鋅溶液按重量比3∶2~4∶1的比例,在混合溫度為50-80℃下混合成電鍍液,在-0.9~-1.1V的電鍍電壓下沉積出厚度為4-50nm納米帶ZnO膜,然后在煅燒溫度為300-600℃下煅燒0.5~2h時間,即得到具有ZnO納米帶陣列的適合用作染料敏化太陽能電池光陽極的ZnO電極;
2)經過前處理后再涂覆的制備工藝,即在上述工作電極基底上先涂覆一層氧化物后,再按上述1)的方法制備晶化的ZnO納米帶陣列的ZnO電極;
3)在上述1)或2)制備晶化的ZnO納米帶陣列的ZnO電極上再涂覆氧化物進行后處理,而制備得到具有ZnO納米帶陣列的適合用作染料敏化太陽能電池光陽極的ZnO電極,會使在染料敏化太陽能電池中的使用效果更佳。
3.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述納米帶直立在基底上,排列有序。
4.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述納米帶之間的間距為1-2000nm。
5.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述非離子型表面活性劑為十六醇聚氧乙烯十醚、十八醇聚氧乙烯十醚、十八醇聚氧乙烯二十醚、十六醇聚氧乙烯八醚或十二醇聚氧乙烯八醚。
6.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述硝酸鋅溶液的濃度為0.001-1mol/L。
7.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述混合溶液中非離子型表面活性劑的濃度為20-90wt%。
8.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述工作電極的基底材料為透明導電玻璃、碳電極和金屬電極中的一種。
9.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述對電極為Pt片或鍍Pt電極。
10.所述參比電極為飽和甘汞電極。
11.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述前或后處理涂覆的氧化物為MgO、SnO2、ZnO、WO3、Fe2O3、TiO2、CeO2、Nb2O5、Al2O3、In2O3、V2O3、ZrO2、NiO、SiO2、CaO、CoO、CuO、MnO、SrO和Ba2O3中一種或一種以上氧化物。
12.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述前處理工藝為將工作電極浸泡在70℃的0.04mol/L的四氯化鈦溶液中30min后,取出來,在450℃下煅燒30min,以實現在工作電極上沉積一層TiO2。
13.根據權利要求2所述用于染料敏化太陽能電池的ZnO電極的制備方法,其特征在于,所述后處理工藝為將ZnO納米帶陣列電極常溫浸泡在0.1mol/L的鈦酸四丁酯溶液中10min后,取出來,在450℃下煅燒30min,以實現在所得的ZnO納米帶陣列膜上沉積TiO2的目的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清華大學,未經清華大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710177245.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





