[發(fā)明專利]在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710176932.1 | 申請日: | 2007-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101428753A | 公開(公告)日: | 2009-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊楷;陳大鵬;景玉鵬;焦斌斌;李志剛 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào): | B81C5/00 | 分類號(hào): | B81C5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100029*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 堿性 腐蝕 保護(hù) mems 器件 方法 | ||
1、一種在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,該方法包括:
將封蠟溶于有機(jī)溶劑中,制備封蠟的飽和溶液;
對待腐蝕MEMS器件正面需要保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行滴液,將制備的封蠟飽和溶液滴到待腐蝕MEMS器件正面需要保護(hù)的區(qū)域;
對所述經(jīng)過滴液處理的待腐蝕MEMS器件進(jìn)行烘干;
將烘干后的待腐蝕MEMS器件放入堿性腐蝕液中進(jìn)行腐蝕;
腐蝕結(jié)束后,去除MEMS器件上的封蠟。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述溶解封蠟的有機(jī)溶劑為1,1,1-三氯乙烷或甜橙油萜orange?terpene。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述制備封蠟飽和溶液的步驟包括:
將一塊Apiezon?W封蠟溶于一定體積的1,1,1-三氯乙烷或甜橙油萜中,用玻璃棒攪拌,直至仍有少量封蠟未溶解,制備出封蠟的1,1,1-三氯乙烷或甜橙油萜飽和溶液。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述Apiezon?W封蠟的重量為2g,1,1,1-三氯乙烷或甜橙油萜的體積為20ml。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述進(jìn)行滴液的步驟包括:
將待腐蝕的MEMS器件置于50℃~70℃的熱板上,正面朝上,將配好的20ml?Apiezon?W的1,1,1-三氯乙烷飽和溶液用滴管分多次滴到待腐蝕MEMS器件需要保護(hù)的區(qū)域。
6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述分多次將飽和溶液滴到待腐蝕MEMS器件需要保護(hù)的區(qū)域時(shí),每次滴液不能過多,以防溶液流出硅片,兩次滴液間隔為30秒。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述進(jìn)行烘干的步驟包括:
將待腐蝕MEMS器件置于90~120℃的熱板上,正面朝上,烘烤30~60分鐘,使得1,1,1-三氯乙烷充分揮發(fā)。
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述進(jìn)行腐蝕的步驟包括:
將Apiezon?W保護(hù)后的待腐蝕MEMS器件放入濃度為33%~35%的KOH溶液中進(jìn)行腐蝕。
9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述KOH溶液的溫度不超過75℃,以防Apiezon?W軟化。
10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的在堿性腐蝕液中保護(hù)易腐蝕MEMS器件的方法,其特征在于,所述去除封蠟的步驟包括:
腐蝕結(jié)束后,將MEMS器件浸泡于1,1,1-三氯乙烷中,將MEMS器件正面的封蠟溶解干凈;
將MEMS器件撈出,用乙醇涮洗一遍,再用去離子水沖洗干凈,吹干。
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