[發明專利]一種納米尺寸空氣槽的制作方法

無效

• 申請號: 200710176600.3
• 申請日: 2007-10-31
• 公開（公告）號: CN101423188A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 屠曉光;陳少武
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

光刻步驟，在頂層為硅材料，底層為任意材料的襯底表面，利用光刻技術將曝光圖形轉移到光刻膠上；

刻蝕步驟，采用光刻膠作掩模，利用干法刻蝕技術對頂層硅材料進行刻蝕，形成縱向刻蝕槽；

氧化步驟，利用熱氧化技術在頂層硅材料表面形成一層氧化層，該氧化層的厚度在7納米到15納米之間；

沉積步驟，利用化學氣相沉積技術，采用沉積源材料向刻蝕槽中填充氧化硅，最終形成納米尺寸的空氣槽，該空氣槽的橫截面形狀為等腰三角形或等腰梯形，且該橫截面為等腰梯形的空氣槽是通過在沉積過程中，當空氣槽頂部未封口時即停止沉積而形成的。

2.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述光刻技術為電子束光刻技術、深紫外線光刻技術或X射線光刻技術。

3.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述光刻膠為電子束光刻膠、深紫外線光刻膠或X射線光刻膠。

4.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕技術為電感耦合等離子體刻蝕技術或反應離子刻蝕技術。

5.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述頂層為硅材料，底層為任意材料的襯底為絕緣體上的硅。

6.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述化學氣相沉積技術為低壓化學氣相沉積技術或等離子體增強化學氣相沉積技術。

7.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述沉積源材料為正硅酸乙酯、氮化硅或氮氧化硅。

8.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述曝光圖形的形狀為矩形、正方形或圓形。

9.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述刻蝕槽的橫截面形狀為矩形或正梯形。

10.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述空氣槽為三維的棱錐或三維的圓錐。

11.如權利要求1所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，在所述空氣槽的頂部未封口時即停止沉積，采用所述沉積材料作微掩膜，利用沉積技術在槽內填充納米線材料，構成納米線。

12.如權利要求11所述的納米尺寸空氣槽的制作方法，其特征在于，所述納米線材料為硅基材料中的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或為金屬材料中的金、銀、鋁、銅或鋅，或為化合物材料中的氮化鎵、砷化鎵或磷化銦。