[發明專利]TFT-LCD像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710176467.1
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101424849A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 洪美花;夏子祺
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/70
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉 芳

1.一種TFT-LCD像素結構，包括形成在像素區域內的像素電極，其特征在于，還包括：

柵線，水平設置在所述像素電極區域的中部；

數據線，相對于所述柵線垂直設置，并位于所述像素電極區域的外側；

數個薄膜晶體管，分別設置在所述像素電極區域的外側，且均與所述像素電極連接；

所述柵線兩側的薄膜晶體管的布局對稱或反對稱；

所述每個薄膜晶體管包括：

柵電極線，形成在基板上，相對于所述柵線垂直設置；

柵絕緣層，形成在所述柵電極線上，并覆蓋整個基板；

非晶硅層，形成在所述柵絕緣層上，并位于所述柵電極線之上；

n⁺非晶硅層，形成在所述非晶硅層上；

源漏電極層，形成在所述n⁺非晶硅層上，包括漏電極和源電極，所述漏電極與所述數據線連接，所述源電極與所述像素電極連接，所述漏電極和源電極之間形成溝道區域；

鈍化層，形成在所述源漏電極層上，并覆蓋整個基板，其上形成有使所述源電極與像素電極連接的鈍化層過孔。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD像素結構，其特征在于，所述薄膜晶體管為四個。

3.根據權利要求1所述的TFT-LCD像素結構，其特征在于，所述柵電極線的寬度小于所述柵線的寬度。

4.一種TFT-LCD像素結構制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積金屬薄膜，通過光刻工藝和蝕刻工藝形成柵線和柵電極線，所述柵線以水平狀形成在像素電極區域的中間，所述柵電極線以相對于柵線垂直的形狀形成在像素電極區域的外側；

步驟2、在完成步驟1的基板上依次連續沉積柵絕緣層、非晶硅薄膜和n⁺非晶硅薄膜，通過光刻工藝和蝕刻工藝，在所述柵電極線的設定區域分別形成數個非晶硅層和n⁺非晶硅層；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積金屬薄膜，通過光刻工藝和蝕刻工藝以相對于柵線垂直的形狀在像素電極區域的外側形成數據線、在所述數個非晶硅層和n⁺非晶硅層上形成與非晶硅層和n⁺非晶硅層相同數量的源漏電極層，同時刻蝕掉暴露的n⁺非晶硅層，每個源漏電極層中的漏電極與數據線連接，每個源漏電極層中的源電極與漏電極相對設置，所述源漏電極層的布局相對于所述柵線對稱或反對稱；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，通過光刻工藝和蝕刻工藝在每個源漏電極層中的源電極位置形成鈍化層過孔；

步驟5、在完成步驟4的基板上沉積像素電極薄膜，通過光刻工藝和蝕刻工藝在像素電極區域內形成像素電極，使像素電極通過每個鈍化層過孔與每個源漏電極層中的漏電極連接。

5.根據權利要求4所述的TFT-LCD像素結構制造方法，其特征在于，所述柵電極線的寬度小于所述柵線的寬度。

6.根據權利要求4所述的TFT-LCD像素結構制造方法，其特征在于，所述源漏電極層為四個。