[發(fā)明專利]鐵酸鉍/鈦酸鉍疊層結(jié)構(gòu)電容及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710175793.0 | 申請日: | 2007-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN101136404A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝丹;任天令;臧永圓;劉理天 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04;H01L27/115;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8247 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 廖元秋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鐵酸鉍 鈦酸鉍疊層 結(jié)構(gòu) 電容 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微電子新材料與器件技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及適用于新型高密度存儲器以及集成鐵電器件的鐵酸鉍(BiFeO3,簡寫為BFO)/鈦酸鉍(Bi4-xXxTi3O12,簡寫為BXT)疊層結(jié)構(gòu)電容的制備方法。
背景技術(shù)
隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對存儲器提出了更高的要求,例如:高速度、低功耗、高安全性以及不揮發(fā)等。傳統(tǒng)的SRAM、DRAM、E2PROM、FLASH等存儲器都是以硅為存儲介質(zhì),由于物理和工藝上的極限,已經(jīng)不能滿足信息產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步高速發(fā)展。因此,必須尋求和開發(fā)新的存儲介質(zhì)。鐵電材料是一類具有自發(fā)極化特性,并且自發(fā)極化可隨電場進(jìn)行反轉(zhuǎn)并在斷電時(shí)仍可保持的介質(zhì)材料。鐵電存儲器(FeRAM)就是利用這種特性,可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非揮發(fā)存儲。目前,國際上用于FeRAM的鐵電材料主要是鋯鈦酸鉛(PZT),但是PZT的剩余極化強(qiáng)度不是特別高,因此,不利于高密度存儲器的應(yīng)用。隨著集成電路(IC)工藝集成度的不斷提高,存儲單元面積的減小,對極化的要求越來越高,因此,PZT的技術(shù)局限在130納米節(jié)點(diǎn)就反映出來了。
日本東京工業(yè)大學(xué)開發(fā)了一種鐵酸鉍(BiFeO3,簡寫為BFO)材料的電容,試驗(yàn)證明其在低溫下具有極高的剩余極化強(qiáng)度,但在室溫下,這種BFO材料具有較大的漏電,從而極大地影響電容性能。因此,研究人員隨后又對其進(jìn)行了摻雜,并開發(fā)出一種摻入錳的BFO材料,并在室溫下獲得了高的剩余極化強(qiáng)度,但現(xiàn)有的BFO材料的電容在室溫下的特性較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為克服已有技術(shù)的不足之處,提出一種新型的鐵酸鉍/鈦酸鉍疊層結(jié)構(gòu)電容及其制備方法,利用該方法制備出來的鐵電電容具有優(yōu)異的抗疲勞特性、較高的剩余極化強(qiáng)度(Pr),較低的操作電壓(Vc),較好的介電特性,并能與CMOS工藝技術(shù)相兼容的特點(diǎn),且在室溫下能夠正常工作,適用于新型高密度存儲器以及集成鐵電器件。
本發(fā)明的鐵酸鉍/鈦酸鉍疊層結(jié)構(gòu)電容,該電容包括:以硅為襯底,在該襯底上依次結(jié)合有氧化層、下電極金屬層、鐵酸鉍薄膜,以及上電極金屬層;其特征在于,在所述下電極金屬層與鐵酸鉍薄膜之間還結(jié)合有鈦酸鉍誘導(dǎo)層薄膜。
所述的鐵酸鉍的組成為BiFeO3;所述鈦酸鉍的組成為Bi4-xXxTi3O12,其中的X為稀土元素Nd,La,Sm,Pr,Gd等中的任意一種,所述鈦酸鉍中的X占(X+Bi)總量的摩爾百分?jǐn)?shù),在0.1<x<1.0的范圍內(nèi);所述鈦酸鉍中的Bi,相對于所述組成式:Bi4-xXxTi3O12要過量添加,該Bi元素的過剩含量,占Bi、X和Ti元素總量的摩爾百分?jǐn)?shù)為5%<Bi<20%范圍。
所述鈦酸鉍薄膜厚度可為10nm~200nm,所述鐵酸鉍薄膜厚度可為20nm~500nm。
本發(fā)明提出的上述鐵酸鉍/鈦酸鉍疊層電容結(jié)構(gòu)的制備方法,是由鐵酸鉍BFO和鈦酸鉍BXT前驅(qū)體溶膠的制備,以及鐵酸鉍BFO/鈦酸鉍BXT疊層結(jié)構(gòu)電容的制備三部分組成,包括以下步驟:
3)制備所述BXT前驅(qū)體溶膠:
11)將稀土元素的醋酸鹽(市售產(chǎn)品)或硝酸鹽(市售產(chǎn)品)(0.3~5g)溶于乙酸(市售產(chǎn)品)或乙醇胺(市售產(chǎn)品)或乙二醇甲醚(市售產(chǎn)品)中,使其完全溶解成稀土元素的鹽溶液;
12)將己酸鉍(市售產(chǎn)品)或醋酸鉍(市售產(chǎn)品)或硝酸鉍(市售產(chǎn)品)(3~40g)溶于己酸(市售產(chǎn)品)或乙酸(市售產(chǎn)品)使其完全溶解成己酸鉍溶液或乙酸鉍溶液;
13)將稀土元素的醋酸鹽溶液加入己酸鉍溶液或乙酸鉍溶液中,在25~100℃條件下充分?jǐn)嚢?~30分鐘,以形成澄清均勻的稀土元素與鉍的混合溶液;
14)量取異丙醇鈦(市售產(chǎn)品)(1~10g),徐徐加入上述混合溶液中,在25~100℃條件下充分?jǐn)嚢?0~30分鐘,以形成澄清均勻的BXT溶液;
15)將丙醇或乙醇(市售產(chǎn)品,既可作為溶劑也可作為稀釋劑)加入上述BXT溶液中進(jìn)行稀釋,使BXT溶液的濃度范圍為0.01~0.5mol/l,在25~100℃條件下攪拌10~60分鐘,直至形成均勻、濃度適中的BXT溶液;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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