[發明專利]一種硅酸鎵鋇鈮晶體及其制備方法和用途無效
| 申請號： | 200710173617.3 | 申請日： | 2007-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN101275277A | 公開（公告）日： | 2008-10-01 |
| 發明（設計）人： | 鄭燕青;孔海寬;施爾畏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/34 | 分類號： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 20005*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅酸 鎵鋇鈮 晶體 及其 制備 方法 用途 | ||
【權利要求書】：
1、一種硅酸鎵鋇鈮晶體，其特征在于化學式為Ba3NbGa3Si2O14，空間群P321，晶胞參數為
2、按權利要求1所述的一種硅酸鎵鋇鈮晶體的制備方法，其特征在于，采用將純度為99.99％的原料BaCO3或BaO、Nb2O5、Ga2O3、SiO2按化學式配原料，采用提拉法生長晶體。
3、按權利要求2所述的一種硅酸鎵鋇鈮晶體的制備方法，其特征在于包括下述步驟：
(1)將原料混合壓塊，在1000℃至1200℃溫度范圍內燒結12小時至24小時，得到化合物原料；
(2)使用銥或鉑坩堝，加熱2-3小時使溫度升至1300℃-1600℃左右，原料熔化后放入籽晶，控制轉速5-30rpm，提拉速度0.1-5mm/h；
(3)生長結束后將晶體提離熔體，晶體降溫至室溫。
4、按權利要求3所述的一種硅酸鎵鋇鈮晶體的制備方法，其特征在于加溫方式采用中頻電源感應。
5、按權利要求3或4所述的一種硅酸鎵鋇鈮晶體的制備方法，其特征在于使用銥金坩堝時要使用惰性氣氛保護。
6、按權利要求3或4所述的一種硅酸鎵鋇鈮晶體的制備方法，其特征在于晶體降溫速率為每小時60-120℃。
7、按權利要求1所述的一種硅酸鎵鋇鈮晶體用于制作聲表面波或聲體波壓電器件。
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