[發(fā)明專利]一種可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710173579.1 | 申請日： | 2007-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN101216667A | 公開（公告）日： | 2008-07-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李杰;顧以理;朱亮 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/039;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 空間 成像 檢驗 精準 光刻 方法 | ||
1.一種可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，用于將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到涂布在硅襯底上的光刻膠上，該光罩上具有多個空間成像套刻標記圖形，該方法包括以下步驟：a、在該硅襯底上涂布光刻膠；b、進行前烘工藝；c、進行曝光工藝以將光罩上的空間成像套刻標記圖形轉(zhuǎn)移到該光刻膠上；d、進行顯影工藝；e、進行后烘工藝；其特征在于，在步驟b中，該前烘工藝的溫度范圍為115至125攝氏度。
2.如權利要求1所述的可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，其特征在于，在完成步驟e后，該光刻膠的厚度范圍為4至5微米。
3.如權利要求1所述的可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，其特征在于，在步驟a中，該光刻膠為正性光刻膠。
4.如權利要求3所述的可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，其特征在于，該正性光刻膠包括溶劑、樹脂和光活性化合物。
5.如權利要求1所述的可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，其特征在于，在步驟b中，該前烘工藝的溫度為120攝氏度。
6.如權利要求1所述的可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，其特征在于，在步驟e中，該后烘工藝的溫度范圍為85至95攝氏度。
7.如權利要求1所述的可提高空間成像套刻檢驗精準度的光刻方法，其特征在于，該空間成像套刻標記圖形為方框。
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