[發明專利]一種新的制備(002)織構Fe薄膜的方法

無效

• 申請號: 200710173302.9
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101215689A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 馬斌;何世海;金慶原
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種制備(002)織構Fe薄膜的方法，采用直流磁控濺射設備，具體步驟如下：

(1)在襯底上沉積Fe薄膜

將經過預處理的襯底放入磁控濺射設備的濺射腔室；將濺射腔室的本底氣壓降到小于5×10^-8Torr的真空環境，開始制備薄膜；以氬氣作為工作氣體，通入濺射腔室，使濺射氣壓不高于5.0mTorr；在一選定的氣壓值下，在襯底和純Fe靶材之間加上一濺射功率，室溫下在襯底上沉積Fe薄膜，厚度為10nm-50nm；

(2)對Fe薄膜進行熱處理

沉積完Fe薄膜后，停止通入工作氣體，將濺射腔室抽回至氣壓小于5×10^-8Torr的真空環境，打開樣品上方的鹵素燈，對樣品進行輻照加熱，升溫速率控制在20℃/min～50℃/min之間，并維持小于1×10^-6Torr的真空環境，退火溫度控制在400℃-600℃，退火時間為10-20分鐘，即得到(200)織構Fe薄膜。

2.一種制備磁存儲介質FePt薄膜的方法，其特征在于利用權利要求1所述方法制備得到的(200)織構Fe薄膜，作為磁記錄材料L1₀相FePt薄膜的緩沖層，從而在制備超高密度磁存儲介質方面獲得應用。