[發明專利]用于減少晶片表面缺陷的濕式蝕刻方法及其裝置

有效

• 申請號: 200710172511.1
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101465273A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 徐寬;湯舍予;林德成;羅仕洲
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/302;H01L21/311;B08B3/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 樓仙英

1.一種用于減少晶片表面缺陷的濕式蝕刻方法，包括以下步驟：

a用氫氟酸浸泡去除所述晶片上的氧化硅，和/或用磷酸浸泡去除所述晶片上的氮化硅或氮氧化硅；

其中，在所述步驟a之后還包括下列步驟：

b將所述晶片背面向下傾斜地浸入去離子水中；

d排除所述去離子水，并向所述晶片噴灑去離子水，以使所述晶片始終被去離子水包圍；

其中，步驟b～d執行一次或者一次以上；

所述去離子水的溫度為40～50℃。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟b和d之間還包括下列步驟：

c將所述晶片在所述去離子水中浸泡第一預定時間。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟b～d的任一項或任多項中，還包括下列步驟：

-使所述晶片背面向下傾斜地在所述去離子水中振動。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步驟b～d的任一項或任多項中，還包括下列步驟：

-使所述晶片背面向下傾斜地在所述去離子水中振動。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟為：

-保持所述晶片傾斜的角度不變地進行所述振動。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，所述步驟b包括：

-將所述晶片背面向下使其和豎直方向的夾角θ為5～10°地浸入所述去離子水中。

7.根據權利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，所述去離子水的溫度為44～46℃。

8.根據權利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，步驟d按照第二預定時間進行。

9.根據權利要求1～5中任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟d之后還包括下列步驟：

e用硫酸或者硫酸雙氧水混合試劑清洗所述晶片，以去除所述晶片上由氫氟酸和/或磷酸形成的殘余物。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，步驟d中所使用的硫酸或者硫酸雙氧水混合試劑的溫度為120～125℃。

11.一種用于減少晶片表面缺陷的濕式蝕刻裝置，該裝置包括一氫氟酸槽，用于在其中以氫氟酸浸泡去除所述晶片上的氧化硅；和/或一磷酸槽，用于在其中以磷酸浸泡去除所述晶片上的氮化硅或氮氧化硅，其特征在于，所述裝置還包括下列部件：

-去離子水槽，用于在其中以去離子水浸泡所述晶片；該去離子水槽的底部為斜面，所述斜面用于支撐放置于該去離子水槽中的晶片，使所述晶片背面向下傾斜地置于該去離子水槽中；

-機械手，用于在該去離子水槽中抓住所述晶片使其振動；

-噴淋頭，用于在排出去離子水的過程中噴灑去離子水沖洗所述晶片，使所述晶片始終保持在去離子水的氛圍中。

12.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，還包括一溫度控制部件，用于控制所述去離子水的溫度。

13.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，所述去離子水槽底部的斜面和該去離子水槽的側壁成一定角度，該角度使放置于該去離子水槽中的晶片和豎直方向的夾角θ為5～10°。

14.根據權利要求11～13中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括下列部件：

-硫酸槽，用于在其中用硫酸或者硫酸雙氧水混合試劑清洗所述晶片，去除所述晶片上由氫氟酸和/或磷酸形成的殘余物。

15.根據權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述硫酸槽包括一溫度控制部件，用于控制該硫酸槽中的硫酸或者硫酸雙氧水混合試劑的溫度。