[發明專利]晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法有效
| 申請號: | 200710172425.0 | 申請日: | 2007-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN101465310A | 公開(公告)日: | 2009-06-24 |
| 發明(設計)人: | 閔金華;王劍;李楊;張宏偉 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人: | 屈 蘅;李時云 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制作 過程 不同 機臺 之間 對準 方法 | ||
1.晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,
1)、首先將不同機臺上的對準標記分別制作在光罩上;
2)、然后將光罩上的對準標記曝光在晶圓的邊緣上,以形成零層;
3)、在制作晶圓的過程中,在所述零層上生成第一層,在所述第一層上生成第二層,不同機臺上生產的層用對應的對準標記進行對準,其中,所述第一層是離子注入層;
4)、利用另一塊有所述不同機臺對準標記的光罩來制作用作監控的晶圓,首先曝光監控的晶圓的第一層;
5)、分別在不同的機臺上建立對應的程式來曝光監控的晶圓的第二層;
6)、通過量測所述監控的晶圓的第二層與所述監控的晶圓的第一層之間的對準數值來進行匹配。
2.如權利要求1所述的晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,所述的不同機臺是指佳能機臺和艾斯麥爾機臺。
3.如權利要求2所述的晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,在佳能機臺和艾斯麥爾機臺之間對準時,分別將佳能機臺中的TVPA和AGA標記、艾斯麥爾機臺中的XPA標記制作在光罩上。
4.如權利要求3所述的晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,所述的XPA標記在光罩上的坐標為(0,0);TVPA標記在光罩上的坐標為(-1680,1680)和(1680,1680);AGA標記在光罩上的坐標為(-1680,-1680)和(1680,-1680)。
5.如權利要求3所述的晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,光罩上的對準標記曝光在晶圓上的坐標為(+/-85,+/-109)。
6.如權利要求3所述的晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,在佳能程式上設置偏差來實現在佳能機臺上曝光的第一層與零層的對準。
7.如權利要求3所述的晶圓制作過程中不同機臺之間的對準方法,其特征在于,在建立佳能程式時,建立兩個補丁,其中一個補丁用于第一層與零層的對準,另一個補丁用于曝光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





