[發明專利]具有平行層狀漏極結構的MOSFET及其漏極制造方法

無效

• 申請號: 200710172271.5
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101179094A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 戴明志;葉景良;廖寬仰
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈蘅

1.一種具有平行層狀漏極結構的MOSFET，包含一個具有P阱的半導體基片，一個形成在所述P阱表面上的絕緣膜上的柵極，一個形成在P阱表面中的源極結構，一個形成在P阱表面中的漏極結構，一個形成在P阱表面中的襯底結構，其特征在于，

所述的漏極結構為平行于溝道的層狀三明治結構，包含依次排列的緩變摻雜的N型緩變漏極NGRD，P阱，高摻雜的N型擴散區n+。

2.如權利要求1所述的具有平行層狀漏極結構的MOSFET，其特征在于，所述的源極結構為高摻雜的N型擴散區n+。

3.如權利要求1所述的具有平行層狀漏極結構的MOSFET，其特征在于，所述的襯底結構為高摻雜的P型擴散區p+。

4.如權利要求1所述的具有平行層狀漏極結構的MOSFET，其特征在于，所述的P阱的橫向長度是緩變摻雜的N型緩變漏極長度的16％～50％。

5.如權利要求1所述的具有平行層狀漏極結構的MOSFET，其特征在于，所述的絕緣膜為氧化物。

6.制造權利要求1所述的漏極結構的方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟1、注入緩變摻雜的N型緩變漏極；

步驟2、確定預留P阱的長度，與N型緩變漏極間隔該長度的距離，

注入高摻雜的N型擴散n+。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述的N型緩變漏極的摻雜濃度為10¹²cm^-2。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述的高摻雜的N型擴散區n+的摻雜濃度為10¹⁵cm^-2。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述的N型緩變漏極為磷摻雜的N型緩變漏極。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述的高摻雜的N型擴散區n+為砷摻雜的N型擴散區。