[發明專利]一種用于探測刻蝕終點的裝置及方法

無效

• 申請號: 200710172078.1
• 申請日: 2007-12-11
• 公開（公告）號: CN101459049A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 張衛航
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/3065
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 羅 朋

1.一種用于探測刻蝕終點的裝置，其結構包括：

激光發生器，用于產生探測光束，所述探測光束照射被刻蝕材料；

檢測器，用于檢測穿透被刻蝕晶片的透射光束強度；

其特征在于：所述激光發生器和所述檢測器分別設置于被刻蝕晶片的兩側。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括一個探測圖形，所述探測圖案包括一條縫隙，所述探測圖案設置于刻蝕窗口中的被刻蝕材料上層，

其中，所述檢測器用于檢測所述探測圖形曝光圖案的亮度或寬度。

3.一種用于探測刻蝕終點的方法，其特征在于包括如下步驟：

-利用一束探測光束照射被刻蝕材料；

-檢測相關信息；

-基于預定條件，并根據所檢測的相關信息來確定是否為刻蝕終點并停止刻蝕。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述預定條件包括以下任一項：

-穿透被刻蝕晶片的透射光束由強變弱的轉折點；

-探測圖形曝光圖案的邊緣和中心的亮度的比值達到一個預定閾值，

或者，探測圖形曝光圖案為其邊緣和中心亮度的比值達到所述預定閾值時的寬度。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預定閾值為40％到60％。