[發明專利]判斷多量子阱發光二級管材料中高效量子結構存在的方法無效
| 申請號： | 200710171904.0 | 申請日： | 2007-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN101196552A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | 陸衛;夏長生;李志鋒;張波;甄紅樓;陳平平;李天信;李寧;陳效雙;陳明法 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所;上海藍寶光電材料有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 判斷 多量 發光 二級 材料 高效 量子 結構 存在 方法 | ||
1.一種判斷多量子阱發光二級管材料中高效量子結構存在的方法，其特征在于具體步驟如下：
§A.將按照工業生產過程制備的多量子阱LED芯片，置于顯微熒光光譜儀的物鏡下，接通電源使LED發光，調節焦距，將物鏡焦點聚在LED發光面上；
§B.第一次測量：調節電源，使注入電流處于能使LED發光的最小值，利用顯微熒光光譜儀的面掃描功能對LED發光表面進行光譜掃描測量，并由光譜儀的CCD探測器采集每一個測量微區的電致發光光譜，掃描面積為LED發光表面的實際大小，掃描步長小于10μm，大于1μm；微區直徑為1-5μm之間；
§C.第二次測量：注入電流增大50-100μA，按步驟§B及條件進行第二次光譜掃描測量，得到此電流下與步驟§B相同所測區域各個微區的電致發光光譜；
§D.第三次測量：注入電流再增大500～1500μA，按步驟§B及條件進行第三次光譜掃描測量，得到此電流下與步驟§B相同所測區域各個微區的電致發光光譜；
§E.對第一次、第二次和第三次所測LED發光面各點的電致發光光譜線型進行比較，若第一次所測點的光譜線型為單峰線型；這些測量點在第二次測量時，在發光光譜高能量一側出現新的發光峰，光譜為雙峰線型；在第三次測量時，高能量一側的發光峰明顯減弱或消失，則說明在此LED材料中存在高效量子結構。
2.根據權利要求1的一種判斷多量子阱發光二級管材料中高效量子結構存在的方法，其特征在于：所說的多量子阱LED材料為InGaN/GaN。
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