[發明專利]一種PSM與利用PSM的曝光機臺焦距校準方法及其系統

無效

• 申請號: 200710171855.0
• 申請日: 2007-12-06
• 公開（公告）號: CN101452202A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 余云初;張軻;郁志芳;蘇少明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 羅 朋

技術領域

本發明涉及半導體曝光工藝領域，具體涉及一種相偏移光罩(PSM，Phase?Shift?Mask)與利用PSM的曝光機臺焦距校準方法及其裝置。

背景技術

光刻工藝的對焦過程對所制造的芯片的質量有著非常重要的作用。在集成電路的生產中，光刻工藝包括曝光過程，硅片首先被定位在曝光機臺光學系統的聚焦范圍之內，然后紫外光通過曝光機臺光學系統和掩膜版圖形投影。掩膜版圖形以亮暗的特征出現在硅片上，這樣就對光刻膠曝光了。

不同的集成電路工藝過程都有一個特殊的焦距精度規格，如果光刻工藝中的曝光過程對焦不理想，將造成曝光后產品圖案的偏移，這些偏移包括形狀和關鍵尺寸條(CD條，critical?dimension?bar)線寬的變化等。因而在曝光過程中，要求維持所述特殊的焦距精度規范以避免對焦不準帶來的偏移問題。在實際生產中，需要不時對曝光機臺的焦距進行校準，以保證其不出現偏差。

現有技術的曝光機臺校準方案，是預先設置曝光機臺的一組曝光焦距值，然后利用所述一組曝光焦距值進行曝光，得出一組按照所述一組曝光焦距值曝光后的CD條線寬。然后，根據上述實驗數據，以曝光機臺焦距值為橫坐標以CD條線寬為縱坐標做出一條曲線。

比如，現有技術預先設定了一組曝光焦距，并得到一組按照曝光焦距值曝光后的CD條線寬，如下表所示：

?

曝光焦距值(um)CD條線寬(um)-0.350.1604-0.300.1840-0.250.1779-0.200.1946-0.150.1875-0.100.1938-0.050.2037-0.000.20240.050.19770.100.19970.150.19470.200.19610.250.19600.300.18260.350.1820