[發(fā)明專利]大尺寸CuI晶體的生長方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710171815.6 | 申請(qǐng)日： | 2007-12-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101255599A | 公開（公告）日： | 2008-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 顧牡;高攀;劉小林;黃世明;劉波;張?zhí)?/a> | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B29/12 | 分類號(hào)： | C30B29/12;C30B7/08 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 | 代理人： | 張磊 |
| 地址： | 20009*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 尺寸 cui 晶體 生長 方法 | ||
1、一種大尺寸CuI晶體的生長方法，其特征在于具體步驟為：
(1)在20～65℃溫度下將碘化亞銅粉末溶解于乙腈溶劑中，攪拌4～10分鐘，待粉末不再溶解為止，即得到飽和液；每100g乙腈中碘化亞銅加入量為：2.894wt％～7.703wt％；
(2)將飽和液過濾，得到過濾液；
(3)取步驟(2)所得過濾液倒入生長容器中，封口；接著將生長容器置于-15～15℃的恒溫環(huán)境下進(jìn)行降溫，靜置1～5天，即得到厘米量級(jí)的長方體晶體作為籽晶；
(4)重復(fù)步驟(1)和(2)，將過濾液加入到溶液降溫裝置的培養(yǎng)缸中，將上部生長區(qū)溶液溫度設(shè)定為溶液飽和溫度之上2-5℃，并在該溫度下保持24～48小時(shí)，然后放入步驟(3)得到的籽晶，進(jìn)行降溫生長，降溫速度為1-10℃/天；CuI晶體的生長溫度為-15-65℃；待晶體長至所需尺寸時(shí)，以2-20℃/天的降溫速率降溫，即得到本發(fā)明所需產(chǎn)品。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸CuI晶體的生長方法，其特征在于步驟(1)中所述原料乙腈純度在99.0％以上，碘化亞銅純度在99.5％以上。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸CuI晶體的生長方法，其特征在于步驟(3)中所述封口采用2-5層保鮮膜封口。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸CuI晶體的生長方法，其特征在于步驟(1)、(2)和(3)中所用的容器采用玻璃容器，均需用氫氧化鈉溶液洗凈。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸CuI晶體的生長方法，其特征在于步驟(4)中所述生長容器為利用溶液降溫或其它同類生長裝置。
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