[發明專利]一種可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法有效
| 申請號: | 200710171617.X | 申請日: | 2007-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN101452818A | 公開(公告)日: | 2009-06-10 |
| 發明(設計)人: | 周祖源;朱津泉 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人: | 屈 蘅;李時云 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 電極 燒結 機臺 溫度 測量 精準 測量方法 | ||
1.一種可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,該燒結溫度在一預選溫度范圍中,該方法包括以下步驟:a、提供一組測試晶片和一標準電極燒結機臺,該組測試晶片上覆蓋有金屬電極層;b、在該預選溫度范圍中選取不同的溫度,且將該標準電極燒結機臺的燒結溫度分別設定為所選取的不同溫度;c、將該組測試晶片分別設置在該具有不同燒結溫度的標準電極燒結機臺進行燒結;d、測得經該不同燒結溫度燒結后的測試晶片的方塊電阻;e、依據測得的方塊電阻及其對應的燒結溫度生成方塊電阻與燒結溫度的關系曲線;f、提供一測試晶片和一待測電極燒結機臺,該測試晶片上覆蓋有金屬電極層;g、將該測試晶片設置在待測電極燒結機臺進行燒結;h、測量燒結后的該測試晶片的方塊電阻;i、依據所測得的方塊電阻以及關系曲線得出該待測電極燒結機臺的燒結溫度;其特征在于,在步驟a和f中,該測試晶片均為經P型重摻雜晶片。
2.如權利要求1所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,在步驟i中,該所測得的方塊電阻在關系曲線中所對應的燒結溫度為該待測電極燒結機臺的燒結溫度。
3.如權利要求1所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該測試晶片通過以下步驟制備:提供一無摻雜的晶片;去除晶片表面的自然氧化層;進行P型重摻雜;去除表面的氧化層并通過物理氣相沉積生成一金屬電極層。
4.如權利要求1或3所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該P型重摻雜的摻雜劑量為1015/平方厘米。
5.如權利要求1或3所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該金屬電極層上還覆蓋一保護層。
6.如權利要求5所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該保護層為氮化鈦,其厚度為200埃。
7.如權利要求1所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該金屬電極層為鎳鉑層,其厚度范圍為80至100埃。
8.如權利要求1或7所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該預選溫度范圍為250至350攝氏度。
9.如權利要求1所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該電極燒結機臺為快速熱處理爐。
10.如權利要求1所述的可提高電極燒結機臺燒結溫度測量精準度的測量方法,其特征在于,該測試晶片的直徑為300毫米。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





