[發明專利]確定光刻投影裝置最佳物面和最佳像面的方法及相關裝置有效
| 申請號: | 200710171608.0 | 申請日: | 2007-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN101174104A | 公開(公告)日: | 2008-05-07 |
| 發明(設計)人: | 毛方林 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 確定 光刻 投影 裝置 最佳 方法 相關 | ||
1.一種確定光刻投影裝置最佳物面、最佳像面的方法,其特征是,包括:
投射一光束于一掩膜版,此光束通過一投影物鏡在一晶片上形成對應于上述掩膜版一標記圖形的一曝光標記;
控制上述掩膜版及晶片在一定運動范圍內步進,從而在上述晶片上得到一組曝光標記;
比較此組曝光標記的分辨率,確定最佳物面和最佳像面的位置。
2.根據權利要求1所述的確定光刻投影裝置最佳物面、最佳像面的方法,其特征是,其中上述最佳物面和最佳像面的位置即為對應于上述分辨率最小的物面及像面位置。
3.根據權利要求1所述的確定光刻投影裝置最佳物面、最佳像面的方法,其特征是,其中當上述掩膜版及晶片在一定運動范圍內步進的步數分別為Nu和Nv時,所得到的上組曝光標記為一Nu×Nv個曝光標記構成的曝光矩陣。
4.根據權利要求1所述的確定光刻投影裝置最佳物面、最佳像面的方法,其特征是,更包括:
調整上述晶片表面曝光劑量,得到對應于不同劑量的多組曝光標記,比較這些曝光標記的分辨率,確定最佳曝光劑量。
5.根據權利要求4所述的確定光刻投影裝置最佳物面、最佳像面的方法,其特征是,其中上述最佳曝光劑量即為對應于上述分辨率最小的曝光劑量。
6.一光刻投影裝置,具有一光源及一投影物鏡,以產生并傳送一投射光束,其特征是,該投影裝置包括:
一掩膜版,具有一標記圖形;
一晶片,其中上述投射光束通過上述掩膜版及投影物鏡在此晶片上形成對應于掩膜版標記圖形的一曝光標記,
其中,上述掩膜版及晶片在一定運動范圍內步進,從而在晶片上得到一組曝光標記,比較此組曝光標記的分辨率,確定最佳物面和最佳像面的位置。
7.根據權利要求6所述的光刻投影裝置,其特征是,其中上述最佳物面和最佳像面的位置即為對應于上述分辨率最小的物面及像面位置。
8.根據權利要求6所述的光刻投影裝置,其特征是,其中當上述掩膜及晶片在一定運動范圍內步進的步數分別為Nu和Nv時,所得到的上組曝光標記為一Nu×Nv個曝光標記構成的曝光矩陣。
9.根據權利要求6所述的光刻投影裝置,其特征是,該光刻投影裝置還包括:
一掩膜臺,用以置放上述掩膜版而帶動掩膜版在一定運動范圍內步進;
一工件臺,用以置放上述晶片而帶動晶片在一定運動范圍內步進。
10.根據權利要求9所述的光刻投影裝置,其特征是,該光刻投影裝置還包括:
一掩膜臺運動控制器,連接上述掩膜臺,以控制上述掩膜臺帶動掩膜版在一定運動范圍內步進;
一工件臺運動控制器,連接上述工件臺,以控制上述工件臺帶動晶片在一定運動范圍內步進。
11.根據權利要求6所述的光刻投影裝置,其特征是,其中上述晶片表面涂覆有光刻膠,其最佳曝光劑量是通過比較不同劑量對應的曝光標記的分辨率而確定。
12.根據權利要求11所述的光刻投影裝置,其特征是,其中上述最佳曝光劑量即為對應于上述分辨率最小的劑量。
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