[發(fā)明專利]具有多個等離子體反應(yīng)區(qū)域的包括多個處理平臺的等離子體反應(yīng)室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710171405.1
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101451237A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳愛華;劉憶軍;陳金元;羅力;倪圖強;尹志堯;何乃明
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/513;C30B25/08;H05H1/00;B01J19/08
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種等離子體反應(yīng)室，包括：

反應(yīng)室主體；

可旋轉(zhuǎn)的基片支座，其設(shè)置于所述反應(yīng)室主體內(nèi)；

第一氣體傳遞分布裝置；

第二氣體傳遞分布裝置，其與所述第一氣體傳遞分布裝置相互間隔開， 并且與所述第一氣體傳遞分布裝置和所述反應(yīng)室主體相互電絕緣，其 中在第一氣體傳遞分布裝置與第二氣體傳遞分布裝置之間構(gòu)成一相鄰 等離子體生成區(qū)，在第二氣體傳遞分布裝置和基片支座之間構(gòu)成一與 等離子參與反應(yīng)區(qū)同位的等離子體生成區(qū)，所述第一氣體傳遞分布裝 置將一第一處理氣體輸送至該相鄰等離子體生成區(qū)，所述第二氣體傳 遞分布裝置將一第二處理氣體輸送至該與等離子參與反應(yīng)區(qū)同位的等 離子體生成區(qū)，所述第二氣體傳遞分布裝置還將來自相鄰等離子體生 成區(qū)的等離子體粒子輸送至與等離子參與反應(yīng)區(qū)同位的等離子體生成 區(qū)；

第一處理氣體的氣體供應(yīng)源，其提供所述第一處理氣體，并連接于所 述第一氣體傳遞分布裝置；

第二處理氣體的氣體供應(yīng)源，其提供所述第二處理氣體，并連接于所 述第二氣體傳遞分布裝置；

其中，所述第一處理氣體和所述第二處理氣體分別沿兩種反應(yīng)氣體路 徑傳輸并保持相互隔離，直至逸出所述第二氣體傳遞分布裝置；

射頻源，其與所述第一氣體傳遞分布裝置相連接；以及

切換裝置，用于將第二氣體傳遞分布裝置選擇性地連接至射頻源或接 地.

所述第二氣體傳遞分布裝置還包括一個緩沖板，用于均勻擴散、分布 第二處理氣體。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，所述切換裝置包括可移動的機 械接觸元件，用以選擇性地將第二氣體傳遞分布裝置連接至第一氣體 傳遞分布裝置或連接至反應(yīng)室主體。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，所述切換裝置包括電子式切換 開關(guān)。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，所述第二氣體傳遞分布裝置包 括一導(dǎo)電性噴淋板、一個連接至該導(dǎo)電性噴淋板的絕緣板、以及一個 連接至該絕緣板的導(dǎo)電性氣體傳遞分布板，其中所述傳遞分布板接地， 所述切換裝置可以選擇性地將導(dǎo)電性噴淋板連接至射頻源或接地。

5.如權(quán)利要求4所述的等離子體反應(yīng)室，所述切換裝置選擇性地將第一 氣體傳遞分布裝置連接至射頻源或置于浮地電位。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，所述第二氣體傳遞分布裝置包 括噴淋板以及與噴淋板相連接的導(dǎo)電性氣體傳遞分布板，其中所述導(dǎo) 電性氣體傳遞分布板包括多個面向相鄰等離子體生成區(qū)的半球形孔。

7.如權(quán)利要求1的等離子體反應(yīng)室，還包括加熱器，其設(shè)置于基片支座 內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)室，所述射頻源包括高頻射頻源、 低頻射頻源以及射頻匹配電路。